【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种侧墙刻蚀终点检测优化方法。
技术介绍
1、等离子体刻蚀是集成电路芯片制造工艺中的一个重要步骤，用于精确地刻蚀材料表面。等离子体刻蚀需要在刻蚀完成后及时停止，过度刻蚀(over etching)和刻蚀不足(under etching)均会导致未能完全刻蚀出所需的结构，可能导致器件无法正常工作或性能下降，引入尺寸不符、芯片不稳定性和产品失效等问题。为了避免这类现象，需要使用刻蚀终点检测(end point detection，epd)系统对刻蚀终点进行精确检测并控制刻蚀过程，这对于确保微纳器件的稳定性和性能至关重要。
2、以半导体器件的制作过程中多晶硅栅极两侧侧墙的刻蚀为例，进行等离子体刻蚀时，如果刻蚀工艺不稳定，将会导致形成的半导体器件的尺寸不一致。实施刻蚀终点检测时，刻蚀从氮化硅层开始至露出氧化硅层时终止。随着工艺机台的展开，机台间存在微小差异，对epd模型工艺窗口提出更高的要求。epd模型所用的算法一般为抓取刻蚀生成物(c-n)的峰值(peak)信号，在蚀刻的过程中，为了过滤干扰信号，通常延迟...
【技术保护点】
1.一种侧墙刻蚀终点检测优化方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述EPD模型数据包括同一制造工艺平台中不同腔体的数据或者不同制造工艺平台中同一腔体的数据。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述峰值强度变化率>1％。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，实施所述刻蚀终点检测时，EPD模型所用的算法为抓取刻蚀生成物的峰值信号。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤三中，用于流片验证的晶圆不少于200片。
6.根据权利要求1所述的方法，...
【技术特征摘要】
1.一种侧墙刻蚀终点检测优化方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述epd模型数据包括同一制造工艺平台中不同腔体的数据或者不同制造工艺平台中同一腔体的数据。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述峰值强度变化率>1％。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，实施所述刻蚀终点检...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘周，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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