【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关一种半导体封装技术，尤指一种可提升电性品质的承载结构。
技术介绍
1、随着科技的演进与电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多高性能的趋势，其中，诉求高频高速(如5g)的电子产品愈来愈多。
2、图1a及图1b为现有封装基板1的示意图。现有封装基板1于其介电体10的相对两表面10a,10b上整面形成接地层11，且于该介电体10中嵌埋有信号线13与防护线12，并于该介电体10中形成多个电性连接该接地层11与该防护线12的导电通孔100。
3、随着电子产品对于信号传送的高频高速的需求提高，现有封装基板1中的信号线13的电性插入损耗(insertion loss)愈趋严重，故可通过采用低损耗(低dk/df)的介电材制作该封装基板1的介电体10，以降低信号的衰减而提高信号完整性。
4、然而，现有封装基板1中，该接地层11形成于该介电体10的相对两表面10a,10b的整面上，致使各该信号线13之间的杂讯不易散出该介电体10，导致各该信号线13容易因相互电性耦合而发生串音问题，故应用该封装基板1的电子...
【技术保护点】
1.一种承载结构，包括：
2.如权利要求1所述的承载结构，其中，该第一凹槽的位置与该导电通孔的位置错开。
3.如权利要求1所述的承载结构，其中，该信号线用于高频传输信号。
4.如权利要求1所述的承载结构，其中，该第一凹槽的位置对应叠合于该防护线的区域上。
5.如权利要求1所述的承载结构，其中，该第一凹槽的宽度小于该防护线的宽度。
6.如权利要求1所述的承载结构，其中，该防护线形成有至少一位置错开该导电通孔的第二凹槽。
7.如权利要求6所述的承载结构，其中，该防护线上形成多个该第二凹槽。
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。