半导体存储装置制造方法及图纸

提供能够适当制造的半导体存储装置。半导体存储装置具备基板、第1布线层、第2布线层、存储器单元阵列层和第1绝缘层。存储器单元阵列层具备在第1方向上排列的多个第1导电层、与多个第1导电层对置的第1半导体层、设置在多个第1导电层与第1半导体层之间的第1电荷积蓄层以及在第1方向延伸的第1及第2接触件。第2布线层具备与第1半导体层的一端连接的第2导电层。第1布线层具备与第1及第2接触件连接的第1及第2电极。第1及第2电极的靠基板侧的面的至少一部分在第1方向比第2导电层的与基板相反侧的面靠近基板。第1电极的与基板相反侧的面具备未被第1绝缘层覆盖的区域。第2电极的与基板相反侧的面的整个面被第1绝缘层覆盖。

【技术实现步骤摘要】

本实施方式涉及半导体存储装置。

技术介绍

1、已知一种半导体存储装置，具备：基板、在与基板的表面交叉的第1方向上排列的多个导电层、在第1方向上延伸且与多个导电层对置的半导体层、以及设置于多个导电层与半导体层之间的电荷积蓄层。

技术实现思路

1、提供能够适当制造的半导体存储装置。

2、一个实施方式所涉及的半导体存储装置具备：基板；第1布线层；第2布线层，设置在基板与第1布线层之间；存储器单元阵列层，设置在基板与第2布线层之间；以及第1绝缘层，相对于第1布线层设置在与基板相反的一侧。存储器单元阵列层具备：多个第1导电层，在与基板的表面交叉的第1方向上排列；第1半导体层，在第1方向上延伸，且与多个第1导电层对置；第1电荷积蓄层，设置在多个第1导电层与第1半导体层之间；第1接触件，在第1方向上延伸；以及第2接触件，在第1方向上延伸。第2布线层具备与第1半导体层的一端电连接的第2导电层。第1布线层具备：第1电极，与第1接触件电连接；以及第2电极，与第2接触件电连接。第1电极的靠基板侧的面的至少一部分以及第2本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体存储装置，其中，具备：

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

3.如权利要求2所述的半导体存储装置，其中，

4.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

5.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，具备：

6.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

7.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

8.一种半导体存储装置，其中，具备：

9.如权利要求8所述的半导体存储装置，其中，

10.如权利要求8所述的半导体存储装置，其中，

11.如权利要求10所...

【技术特征摘要】

1.一种半导体存储装置，其中，具备：

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

3.如权利要求2所述的半导体存储装置，其中，

4.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

5.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，具备：

6.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

7.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

8.一种半导体存储装置，其中，具备：

9.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：堀井良之，和田秀雄，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：