显示基板及显示装置制造方法及图纸

本申请涉及一种显示基板及显示装置。其中显示基板包括至少一个第一显示区、位于所述至少一个第一显示区至少一侧的第二显示区；所述第二显示区的光透过率小于所述至少一个第一显示区的光透过率；多个第一子像素，位于所述至少一个第一显示区，所述第一子像素包括第一发光元件和第一像素电路，所述第一像素电路被配置为驱动所述第一发光元件发光；其中，所述第一像素电路包括多个晶体管，所述多个晶体管中的至少一个晶体管为氧化物晶体管。如此设置可提升第一显示区的透光性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示领域，尤其涉及一种显示基板及显示装置。

技术介绍

1、oled(organic light-emitting diode，有机电致发光)显示结构因为色域高、轻薄化、可挠性成为主流显示结构。目前提升屏占比成为手机创新的核心主线之一，刘海屏、美人尖、水滴屏、挖孔屏等设计都是为了减少前置摄像头占用空间所做出的努力。屏下摄像头(under-display-camera，简称udc)是全面屏时代的必然。前置摄像头无法放在屏下的主要原因是驱动电路和导线等不透光，导致屏幕整体透过率太低，因此如果将摄像头设置于屏下就无法接收到屏幕外的光线。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种显示基板及显示装置，其可提升第一显示区的透光性。

2、根据本申请实施例的第一方面，提供一种显示基板，所述显示基板包括：

3、至少一个第一显示区、位于所述至少一个第一显示区至少一侧的第二显示区；所述第二显示区的光透过率小于所述至少一个第一显示区的光透过率；

4、多个第一子像素，位于所述至少一个第一显本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种显示基板，其特征在于，包括：至少一个第一显示区、位于所述至少一个第一显示区至少一侧的第二显示区；所述第二显示区的光透过率小于所述至少一个第一显示区的光透过率；

2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述多个晶体管为氧化物晶体管，且不包括多晶硅晶体管。

3.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述多个晶体管包括氧化物晶体管和多晶硅晶体管，所述多晶硅晶体管的数量大于所述氧化物晶体管的数量。

4.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一像素电路包括驱动晶体管，所述驱动晶体管为多晶硅晶体管。

5.如权利要求4所述的显示基板...

【技术特征摘要】

1.一种显示基板，其特征在于，包括：至少一个第一显示区、位于所述至少一个第一显示区至少一侧的第二显示区；所述第二显示区的光透过率小于所述至少一个第一显示区的光透过率；

2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述多个晶体管为氧化物晶体管，且不包括多晶硅晶体管。

3.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述多个晶体管包括氧化物晶体管和多晶硅晶体管，所述多晶硅晶体管的数量大于所述氧化物晶体管的数量。

4.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一像素电路包括驱动晶体管，所述驱动晶体管为多晶硅晶体管。

5.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述驱动晶体管沟道的长度大于等于20um，且小于等于40um。

6.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一电路晶体管和所述第二电路晶体管为氧化物晶体管。

7.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一像素电路还包括电源线、第一初始化信号线、第二初始化信号线和数据线；

8.如权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第三电路晶体管为多晶硅晶体管，所述第一电路晶体管、所述第二电路晶体管、所述第四电路晶体管、第五电路晶体管、第六电路晶体管和第七电路晶体管都为氧化物晶体管。

9.如权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述第三电路晶体管包括有源层，位于所述有源层一侧的栅极，位于所述栅极远离所述有源层一侧的第三电路晶体管第一级和第三电路晶体管第二极，所述第三电路晶体管第一级和所述第三电路晶体管第二极与所述有源层连接；

10.如权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述第一发光元件包括依次远离所述第一像素电路设置的阳极、发光层和阴极；

11.如权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板包括第二遮光层，所述第一电路晶体管、所述第二电路晶体管、所述第四电路晶体管、第五电路晶体管、第六电路晶体管和第七电路晶体管在所述显示基板上的正投影位于所述第二遮光层在所述显示基板上的正投影内。

12.如权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述存储电容的第一电极和第二电极都为透明导电材料。

13.如权利要求7所述的显...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐传祥，舒适，姚琪，袁广才，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：