显示基板及其制备方法技术

本公开提供一种显示基板及其制备方法，属于显示技术领域。本公开的显示基板，其包括衬底基板，设置在衬底基板上的多条栅线、多条数据线和多个像素单元；每个像素单元均包括第一薄膜晶体管、第一显示电极和第二显示电极；第一薄膜晶体管的栅极连接栅线，第一薄膜晶体管的源极通过第一连接过孔连接数据线；第一薄膜晶体管的漏极通过第二连接过孔连接第一显示电极；显示基板还包括设置在第一薄膜晶体管靠近衬底基板一侧的第一遮光层；第一遮光层的材料为含硅半导体材料所述第一遮光层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述第一连接过孔和所述第二连接过孔中任意一者在所述衬底基板上的正投影。

【技术实现步骤摘要】

本公开属于显示，具体涉及一种显示基板及其制备方法。

技术介绍

1、在显示基板上，不同层的导电结构之间进行电连接时，需要通过连接过孔来连接。其中，连接过孔是通过构图工艺形成的，连接过孔的大小影响着产品的分辨率、边框大小、透过率等等。

技术实现思路

1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种显示基板及其制备方法。

2、第一方面，本公开实施例提供一种显示基板，其包括衬底基板，设置在所述衬底基板上的多条栅线、多条数据线和多个像素单元；每个所述像素单元均包括第一薄膜晶体管、第一显示电极和第二显示电极；其中，所述第一薄膜晶体管的栅极连接所述栅线，所述第一薄膜晶体管的源极通过第一连接过孔连接所述数据线；所述第一薄膜晶体管的漏极通过第二连接过孔连接所述第一显示电极；其中，

3、所述显示基板还包括设置在所述第一薄膜晶体管靠近所述衬底基板一侧的第一遮光层；所述第一遮光层的材料为含硅半导体材料；所述第一遮光层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述第一连接过孔和所述第二连接过孔中任意一者在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种显示基板，其包括衬底基板，设置在所述衬底基板上的多条栅线、多条数据线和多个像素单元；每个所述像素单元包括第一薄膜晶体管、第一显示电极和第二显示电极；其中，所述第一薄膜晶体管的栅极连接所述栅线，所述第一薄膜晶体管的源极通过第一连接过孔连接所述数据线；所述第一薄膜晶体管的漏极通过第二连接过孔连接所述第一显示电极；其中，

2.根据权利要求1所述的显示基板，所述第一遮光层包括第一遮光部和/或第二遮光部；

3.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述第一薄膜晶体管的有源层为金属氧化物半导体材料，所述第一薄膜晶体管的有源层相较于所述栅极更靠近所述衬底基板；所述第一遮光...

【技术特征摘要】

1.一种显示基板，其包括衬底基板，设置在所述衬底基板上的多条栅线、多条数据线和多个像素单元；每个所述像素单元包括第一薄膜晶体管、第一显示电极和第二显示电极；其中，所述第一薄膜晶体管的栅极连接所述栅线，所述第一薄膜晶体管的源极通过第一连接过孔连接所述数据线；所述第一薄膜晶体管的漏极通过第二连接过孔连接所述第一显示电极；其中，

2.根据权利要求1所述的显示基板，所述第一遮光层包括第一遮光部和/或第二遮光部；

3.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述第一薄膜晶体管的有源层为金属氧化物半导体材料，所述第一薄膜晶体管的有源层相较于所述栅极更靠近所述衬底基板；所述第一遮光层还包括第三遮光部，且所述第三遮光部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有源层的沟道区在所述衬底基板上的正投影。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其中，对于在所述衬底基板上的正投影存在交叠的所述第三遮光部和沟道区，所述第三遮光部在所述衬底基板上的正投影的轮廓与所述沟道区在所述衬底基板上的正投影的轮廓之间的最小间距在0.5～5μm之间。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一遮光层还包括多个第四遮光部和/或多个第五遮光部；

6.根据权利要求5所述的显示基板，其中，对于所述衬底基板上的正投影存在交叠的第四遮光部和所述栅线，所述第四遮光部在所述衬底基板上的正投影的轮廓与所述栅线在所述衬底基板上的正投影的轮廓之间的最小间距在0.5～5μm之间。

7.根据权利要求5所述的显示基板，其中，对于所述衬底基板上的正投影存在交叠的第五遮光部和所述数据线，所述第五遮光部在所述衬底基板上的正投影的轮廓与所述数据线在所述衬底基板上的正投影的轮廓之间的最小间距在0.5～5μm之间。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的显示基板，其中，所述显示基板包括显示区和围绕所述显示区的周边区，所述周边区包括设置在所述衬底基板上的栅极驱动电路；所述栅极驱动电路的每个移位寄存器均包括第二薄膜晶体管；所述第二薄膜晶体管的有源层与所述第一遮光层同层设置。

9.根据权利要求1-7中任一项所述的显示基板，其中，所述显示基板包括显示区和围绕所述显示区的周边区，所述周边区包括设置在所述衬底基板上的栅极驱动电路和第二遮光层；所述第二遮光层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一薄膜晶体管的有源层的沟道区在所述衬底基板上的正投影；

10.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第二连接过孔包括沿背离所述衬底基板方向依次设置的第一子过孔和第二子过孔；所述第一薄膜晶体管的漏极通过第一子过孔与转接电极连接，所述转接电极通过第二子过孔与所述第一显示电极连接。

11.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一薄膜晶体管的有源层包括第一半导体部和第二半导体部；所述第一半导体部和所述第二半导体部均具有第一端和第二端；所述第一半导体部的第二端与所述第二半导体部的第一端连接；所述第一半导体部的第一端用作第一薄膜晶体管的源极，所述第二半导体部的第二端用作第一薄膜晶体管的漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：王利忠，袁广才，宁策，周天民，郭晖，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：