界面双端钝化的顶入射量子点器件及其制备方法技术

本申请涉及顶入射量子点器件技术领域，具体涉及一种界面双端钝化的顶入射量子点器件及其制备方法，界面双端钝化的顶入射量子点器件，包括依次设置的底电极、空穴传输层、PbS量子点吸光层、界面钝化层、电子传输层以及顶电极，界面钝化层包括配体一端具有的硅氧结构或铝氧结构的PbS量子点。本申请具有提升薄膜间结合力，实现器件整体暗电流的降低，提升器件热稳定性的效果。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及顶入射量子点器件的，尤其是涉及一种界面双端钝化的顶入射量子点器件及其制备方法。

技术介绍

1、光电探测器是一种可以捕获特定波长范围的光信号，并把它们立即转换成电信号的设备。光电探测器在光学成像、光通信、自动控制、生化传感等领域都有着重要且广泛的应用。因此开发性能优越的光电探测器有很大的意义。目前，基于硅、锗、铟、砷化镓、氮化镓等半导体材料的光电探测器由于带隙不同，被广泛应用于商业产品中，以覆盖不同的光谱范围。

2、相比于上述市场上常规光电探测器的材料，胶体量子点具有制备原料便宜，工艺简单，而且具有良好的光电特性，如禁带宽度可调、红外吸收可调等，这些都为胶体量子点材料在光电领域快速应用和发展提供了基础。然而随着量子点尺寸的增大，极性的(100)面增加，量子点表面的钝化难度增大，在成膜后其表面存在很多纳米级的裂缝和孔洞。特别是，当量子点探测器在反向偏压工作时，这些表面缺陷会造成较大的欧姆漏电流，影响器件性能。同时，在量子点吸光层上制作氧化物电子传输层时，依照现有的方法，如磁控溅射、原子层沉积(ald)等，都会对量子点层表面造成一定的损伤，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.界面双端钝化的顶入射量子点器件，包括依次设置的底电极、空穴传输层、PbS量子点吸光层、电子传输层以及顶电极，其特征在于，还包括设置于PbS量子点吸光层、电子传输层间的界面钝化层，所述界面钝化层包括配体一端具有的硅氧结构或铝氧结构的PbS量子点。

2.根据权利要求1所述的界面双端钝化的顶入射量子点器件，其特征在于，硅氧结构如式(Ⅰ)所示：

3.根据权利要求1所述的界面双端钝化的顶入射量子点器件，其特征在于，界面钝化层的厚度为4.5-12nm。

4.根据权利要求1所述的界面双端钝化的顶入射量子点器件，其特征在于，界面钝化层的厚度为8.5-9.5nm。<...

【技术特征摘要】

1.界面双端钝化的顶入射量子点器件，包括依次设置的底电极、空穴传输层、pbs量子点吸光层、电子传输层以及顶电极，其特征在于，还包括设置于pbs量子点吸光层、电子传输层间的界面钝化层，所述界面钝化层包括配体一端具有的硅氧结构或铝氧结构的pbs量子点。

2.根据权利要求1所述的界面双端钝化的顶入射量子点器件，其特征在于，硅氧结构如式(ⅰ)所示：

3.根据权利要求1所述的界面双端钝化的顶入射量子点器件，其特征在于，界面钝化层的厚度为4.5-12nm。

4.根据权利要求1所述的界面双端钝化的顶入射量子点器件，其特征在于，界面钝化层的厚度为8.5-9.5nm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的界面双端钝化的顶入射量子点器件的制备方法，其特征在于，包括依次制作底电极、空穴传输层、pbs量子点吸光层、界面钝化层、电子传输层...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐江，苏海鹏，高亮，张建兵，刘婧，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：