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本申请涉及顶入射量子点器件技术领域，具体涉及一种界面双端钝化的顶入射量子点器件及其制备方法，界面双端钝化的顶入射量子点器件，包括依次设置的底电极、空穴传输层、PbS量子点吸光层、界面钝化层、电子传输层以及顶电极，界面钝化层包括配体一端具有的...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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