半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，具有：形成于半导体层的栅极沟槽、隔着绝缘层埋入到栅极沟槽内的栅极电极。栅极沟槽包含：设置于外周区的第一外周栅极沟槽部、设置于比第一外周栅极沟槽部靠外侧的位置的第二外周栅极沟槽部。半导体装置具有：第一浮空沟槽，其形成于半导体层中的第一外周栅极沟槽部与第二外周栅极沟槽部之间的区域；电浮空状态的第一浮空电极，其隔着绝缘层埋入到第一浮空沟槽内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及半导体装置。

技术介绍

1、在专利文献1中，公开了具有沟槽栅极型mosfet(metal-oxide-semico nductorfield-effect-transistor)作为基本构造的半导体装置。该半导体装置包含：有源区，其设定于被源极电极覆盖的区域；栅极沟槽，其形成于有源区；多晶硅栅极，其埋入于栅极沟槽。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2020-194881号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、然而，在沟槽栅极型mosfet中，可能产生漏极-源极间击穿电压降低、即所谓的触发电压降低现象(walk-in)。

3、用于解决课题的手段

4、本公开的一方式的半导体装置，具有：半导体层；栅极沟槽，其形成于所述半导体层；绝缘层，其形成于所述半导体层上；栅极电极，其隔着所述绝缘层埋入到所述栅极沟槽内；以及栅极布线，其形成于所述绝缘层上，并与所述栅极电极电连接，所述半导体层包含：外周区，其在俯视本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其中，

10.一种半导体装置，具有：

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其中，

10.一种半...

【专利技术属性】
技术研发人员：油谷匡胤，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：