温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体装置，具有：形成于半导体层的栅极沟槽、隔着绝缘层埋入到栅极沟槽内的栅极电极。栅极沟槽包含：设置于外周区的第一外周栅极沟槽部、设置于比第一外周栅极沟槽部靠外侧的位置的第二外周栅极沟槽部。半导体装置具有：第一浮空沟槽，其形成于半导体层...
该专利属于罗姆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过罗姆股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。