【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及传感器，特别是涉及一种dna四面体纳米结构介导的一维场效应晶体管传感器。
技术介绍
1、场效应晶体管生物传感器因其灵敏度高、分析速度快、无标记、体积小、操作简单等特点而受到了很多关注，广泛应用于dna、蛋白质、细胞、离子等生物识别物的检测。为了使场效应晶体管对生物分子敏感,在其表面引入生物识别层,该层可与检测目标物选择性相互作用,减少了非特异性结合,并实现电荷转移,通过化学或静电相互作用与换能器表面结合,导致半导体中的电位和通道的导电性将发生变化,通过测量电导的变化,就可以检测到目标物的结合。
2、近年来，更有纳米材料和微电子技术在传感器设计中提高传感器的传感性能，场效应晶体管生物传感器朝着高灵敏、微型化、快速化以及多功能化的方向以令人惊叹的速度发展。目前，已经开发出越来越多种类的基于纳米材料的场效应晶体管，比如硅纳米线场效应晶体管、碳纳米管场效应晶体管、石墨烯场效应晶体管，这些材料具有卓越的机械耐力、非凡的化学和热稳定性等优良半导体特性，已成为固定生物识别元件的理想选择。
3、一维场效应晶体管是利...
【技术保护点】
1.一种一维场效应晶体管传感器，其特征在于，所述一维场效应晶体管传感器包括：一维场效应晶体管和修饰在其表面的DNA四面体纳米结构。
2.根据权利要求1所述的一维场效应晶体管传感器，其特征在于，所述一维场效应晶体管包括一维材料形成的沟道，所述一维材料为纳米线或纳米管，优选为硅纳米线、氮化镓纳米线、氧化锌纳米线、碳纳米管、氧化铝纳米管中的任一种或多种。
3.根据权利要求1所述的一维场效应晶体管传感器，其特征在于，所述一维场效应晶体管的截面可以为圆形、三角形、四边形或任意多边形。
4.根据权利要求1所述的一维场效应晶体管传感器，其特征在于...
【技术特征摘要】
1.一种一维场效应晶体管传感器，其特征在于，所述一维场效应晶体管传感器包括：一维场效应晶体管和修饰在其表面的dna四面体纳米结构。
2.根据权利要求1所述的一维场效应晶体管传感器，其特征在于，所述一维场效应晶体管包括一维材料形成的沟道，所述一维材料为纳米线或纳米管，优选为硅纳米线、氮化镓纳米线、氧化锌纳米线、碳纳米管、氧化铝纳米管中的任一种或多种。
3.根据权利要求1所述的一维场效应晶体管传感器，其特征在于，所述一维场效应晶体管的截面可以为圆形、三角形、四边形或任意多边形。
4.根据权利要求1所述的一维场效应晶体管传感器，其特征在于，所述dna四面体纳米结构包括dna四面体、柔性连接链和探针，所述柔性连接链用于连接dna四面体和探针。
5.根据权利要求4所述的一维场效应晶体管传感器，其特征在于，所述dna四面体包括a、b、c、d四条链，其碱基序列分别如seq id no.2、seq id no.3、seq id no.4和seqid no.5所示；和/或，所述连接链的碱基序列如seq id no.7所示。
6.根据权利要求4所述的一维场效应晶体管传感器，其特征在于，所述探针为能特异性识别靶向分子并与之结合的分子，优选地，所述探针为抗体、寡核苷酸、小分子、适配体中的一种或多种。
7.根据权利要求6所述的一维场效应晶体管传感器，其特征在于，所述适配体为cd63、cd9、bsa、cea、egfr、mmp-9或ca125中的任意一种，优选地，所述适配体的序列如seqid no.1所示。
8.根据权利要求1所述的一维场效应晶体管传感器，其特征在于，所述一维场效应晶体管传感器还包括绝缘衬底，优选地，所述绝缘衬底为二氧化硅或六方氮化硼；和/或...
【专利技术属性】
技术研发人员：李铁，陈栋钦，窦艳枝，李亚钊，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。