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本发明提供一种DNA四面体纳米结构介导的一维场效应晶体管传感器，所述一维场效应晶体管传感器包括：一维场效应晶体管和修饰在其表面的DNA四面体纳米结构。用于解决现有技术中一维场效应晶体管传感器在高盐离子浓度检测中的德拜屏蔽长度的限制问题，实现...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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