一种化学气相沉积设备制造技术

本发明专利技术公开了一种化学气相沉积设备，包括：腔体、加热盘、驱动装置及喷淋头。加热盘的加热管包括内圈、中圈及外圈。内圈开设有第一缺口而形成内弧形管段，内弧形管段沿铅垂方向的对称面为基准对称面。中圈上设有第二缺口和第三缺口而分为关于基准对称面对称的两段中弧形管段，中弧形管段朝向第二缺口的端部为第一连接端、朝向第三缺口的端部为第二连接端。外圈上设有第四缺口和第五缺口而分为关于基准对称面对称的两段外弧形管段，外弧形管段朝向第四缺口的端部为第三连接端、朝向第五缺口的端部为第四连接端。内弧形管段通过第一过渡管段连通相邻中弧形管段的第一连接端，第二连接端通过第二过渡管段连通相邻外弧形管段的第四连接端，第三连接端通过第三过渡管段连通有直线管段，直线管段穿过第一缺口和第二缺口后延伸至内弧形管段内圈。直线管段包括加热段和冷段。本发明专利技术加热管均匀分布在加热盘内，能够均匀加热整个晶圆，满足晶圆在腔体内进行镀膜的要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体设备，尤其涉及一种化学气相沉积设备。

技术介绍

1、化学气相沉积(chemicalvapordeposition，简称cvd)、物理气相沉积(physicalvapordeposition，简称pvd)是半导体行业中广泛应用于薄膜沉积的技术。如cvd设备包括反应腔和晶圆加热盘，当将两种或两种以上的气态原材料导入反应腔时，气态原材料相互之间发生化学反应，形成一种新的材料并沉积到加热基座晶圆的表面上，形成一层沉积薄膜。气相沉积镀膜的工艺复杂多样，在镀膜的同时会有各种因素影响镀膜厚度的均匀性。

2、现有气相沉积设备的晶圆加热盘内嵌有加热管，加热管内设置有电热丝，加热电路使电热丝发热并通过加热管和加热盘把晶圆加热至高温以加速反应。加热盘维持整个晶圆的温度，晶圆温度的均匀性决定了薄膜的品质和集成电路元件生产的良品率。因此，需要设计一种能够均匀加热整个晶圆的气相沉积设备。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种化学气相沉积设备，以满足晶圆对于均匀加热的要求。

2、为了实现上述目的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种化学气相沉积设备，其特征在于，包括：腔体(1)、加热盘(2)、驱动装置(3)及喷淋头(4)；

2.根据权利要求1所述的一种化学气相沉积设备，其特征在于，所述冷段(2372)内穿设有导线，所述加热段(2371)、第三过渡管段(236)、外弧形管段(233)、第二过渡管段(235)、中弧形管段(232)、第一过渡管段(234)及内弧形管段(231)内穿设有加热丝，所述导线连接所述加热丝。

3.根据权利要求1所述的一种化学气相沉积设备，其特征在于，所述第一过渡管段(234)、第二过渡管段(235)及第三过渡管段(236)均为圆弧形。

<p>4.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种化学气相沉积设备，其特征在于，包括：腔体(1)、加热盘(2)、驱动装置(3)及喷淋头(4)；

2.根据权利要求1所述的一种化学气相沉积设备，其特征在于，所述冷段(2372)内穿设有导线，所述加热段(2371)、第三过渡管段(236)、外弧形管段(233)、第二过渡管段(235)、中弧形管段(232)、第一过渡管段(234)及内弧形管段(231)内穿设有加热丝，所述导线连接所述加热丝。

3.根据权利要求1所述的一种化学气相沉积设备，其特征在于，所述第一过渡管段(234)、第二过渡管段(235)及第三过渡管段(236)均为圆弧形。

4.根据权利要求3所述的一种化学气相沉积设备，其特征在于，所述第一过渡管段(234)位于所述直线管段(237)与外弧形管段(233)所夹区域内。

5.根据权利要求3所述的一种化学气相沉积设备，其特征在于，所述中弧形管段(232)与所述内弧形管段(231)的间距大于所述内弧形管段(231)的半径，所述外弧形管段(233)与所述中弧形管段(232)的间距等于所述内弧形管段(231)的半径。

6.根据权利要求5所述的一种化学气相沉积设备，其特征在于，所述内弧形管段(231)的半径、所述中弧形管段...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓超，徐家庆，唐丽娜，
申请(专利权)人：大连皓宇电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：