一种金半接触电阻的界面掺杂改性方法技术

本发明专利技术公开了一种金半接触电阻的界面掺杂改性方法，包括：在金半接触下对其界面进行金属元素掺杂改性，其中金半接触为NiSi和Si体系，金属元素为电负性弱的金属元素，选自Hf、Sc、Ti、Zr、Al、Ta中的一种或多种，特别地，以NiSi为金属层，Si为半导体层，在其接触界面掺杂金属元素，通过溅射沉积方法使Ni原子在Si衬底上沉积形成薄膜，退火处理形成NiSi，采用离子注入的方式，在NiSi与Si的界面处注入金属元素进行界面掺杂改性。本发明专利技术在保持NiSi体系在小尺寸下的优势，进一步降低界面接触电阻，增强器件电流驱动能力，改善器件整体性能，从而满足小尺寸器件对界面接触电阻的需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于金半接触电阻改性，具体涉及一种金半接触电阻的界面掺杂改性方法。

技术介绍

1、随着集成电路的发展，单个元器件的尺寸越来越小，导致漏电以及散热等问题日趋严重，同时也出现功耗的急剧增长。为了缓解尺寸缩小带来的负面效应，鳍式场效应晶体管(fin-fet)和环绕栅极晶体管(gaa-fet)等新兴器件结构由于增强的栅控能力可以减小漏电流，进而降低器件功耗，提升器件可靠性。即使如此，当晶体管特征尺寸在20nm以下时，由于金属/半导体接触面积变小致使源/漏极区域与沟道的接触电阻呈指数级增大，成为外部寄生电阻的主要组成部分。因此，如何降低源/漏极区域与沟道的接触电阻对于小尺寸器件的性能提升至关重要。

2、现有技术中，在金属电极与硅的界面处构建自对准硅化物，可以明显减小界面接触电阻。其中，tisi2作为工业界标准的硅化物材料已经在工艺中广泛应用。但是，tisi2受线宽效应影响较严重，在尺寸进一步缩小过程中极易形成团簇，稳定性较差。相比之下，cosi2由于具有更低的电阻率和更好的界面特性成为新的硅化物替代材料，但由于其热预算较高和过渡消耗硅等劣势，限本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种金半接触电阻的界面掺杂改性方法，其特征在于，包括：在金半接触下对其界面进行金属元素掺杂改性；其中：

2.根据权利要求1所述金半接触电阻的界面掺杂改性方法，其特征在于，所述金属元素选自Hf、Sc、Ti、Zr中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述金半接触电阻的界面掺杂改性方法，其特征在于，所述金属元素为Hf。

4.根据权利要求1至3任一项所述金半接触电阻的界面掺杂改性方法，以NiSi为金属层，Si为半导体层，在其接触界面掺杂金属元素，包括：

【技术特征摘要】

1.一种金半接触电阻的界面掺杂改性方法，其特征在于，包括：在金半接触下对其界面进行金属元素掺杂改性；其中：

2.根据权利要求1所述金半接触电阻的界面掺杂改性方法，其特征在于，所述金属元素选自hf、sc、ti、zr中的一种或多种。

【专利技术属性】
技术研发人员：吴茂坤，纪志罡，袁苗嘉，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：