温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种金半接触电阻的界面掺杂改性方法，包括：在金半接触下对其界面进行金属元素掺杂改性，其中金半接触为NiSi和Si体系，金属元素为电负性弱的金属元素，选自Hf、Sc、Ti、Zr、Al、Ta中的一种或多种，特别地，以NiSi为金属层...
该专利属于上海交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。