【技术实现步骤摘要】
本公开实施例属于半导体封装，具体涉及一种堆叠芯片封装方法。
技术介绍
1、如图1所示，目前多个存储芯片30采用堆叠方式通过硅中介层24堆叠设置在基板22上，利用硅通孔32实现垂直互联，其中，顶部存储芯片36无硅通孔32结构；堆叠的芯片数量越多，存储容量越大。随着芯片堆叠层数的增加，每一层与前一层之间的对位难度显著提升，为制造工艺带来严峻挑战，从而限制了堆叠层数的增加，影响存储容量的提升。
2、针对上述问题，有必要提出一种设计合理且有效解决上述问题的堆叠芯片封装方法。
技术实现思路
1、本公开实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种堆叠芯片封装方法。
2、本公开实施例提供一种堆叠芯片封装方法，所述方法包括：
3、形成多个芯片，其中，每个所述芯片形成有与其焊盘电连接的凸块；
4、形成包裹多个所述芯片的第一塑封层，并在所述第一塑封层露出的所述凸块上形成第一互连线路层，以形成第一芯片模组；
5、形成包裹多个所述芯片的第二塑...
【技术保护点】
1.一种堆叠芯片封装方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成包裹多个所述芯片的第二塑封层，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第二塑封层的第一表面形成与所述塑封通孔电连接的重布线层，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第二塑封层的第二表面以及所述芯片的第二表面形成与所述塑封通孔电连接第二互连线路层，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成包裹多个所述芯片的第二塑封层，还包括：
6.根据权利要求5所述的...
【技术特征摘要】
1.一种堆叠芯片封装方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成包裹多个所述芯片的第二塑封层，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第二塑封层的第一表面形成与所述塑封通孔电连接的重布线层，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第二塑封层的第二表面以及所述芯片的第二表面形成与所述塑封通孔电连接第二互连线路层，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成包裹多个所述芯片的第二塑封层，还包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述第二塑封层的第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：陶玉娟，朱秋昀，杨灵，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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