碳化硅晶圆的热氧化层制备方法、碳化硅器件的加工方法技术

本发明专利技术提出了碳化硅晶圆的热氧化层制备方法、碳化硅器件的加工方法。其中碳化硅晶圆的热氧化层制备方法，多个碳化硅晶圆间隔排列，所述碳化硅晶圆具有相对设置的第一表面和第二表面，且相邻的两块碳化硅晶圆的第一表面和第二表面相对，在所述第一表面上进行离子注入处理、调节所述第一表面内掺杂离子剂量和能量后，再在所述碳化硅晶圆的第二表面制备热氧化层。本发明专利技术可以使得相邻碳化硅之间即便存在影响，也可以实现均匀的热氧化层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体的，尤其涉及一种可以使得晶圆热氧化层均匀的热氧化层制备方法，以及碳化硅晶圆的加工方法。

技术介绍

1、半导体晶圆制程工艺过程中，常用热氧工艺制作sio2膜层，主要用于器件隔离绝缘层、注入掩蔽层及牺牲氧化层等，在晶圆制程中扮演着十分重要的角色。sic的热氧化与si的热氧化有一定的相似性，但由于sic有c元素的参与，氧化动力学与si有很大的不同，与deal-grove理论(迪尔-格罗夫理论)类似，sic氧化过程包括氧化剂扩散过程和表面反应过程，sic氧化过程中，生成的co/co2副产物通过sio2层向外扩散，外扩散的过程中副产物会稀释氧化剂的含量，导致氧化速率的变化。热氧化膜生长速率与晶面取向强相关，sic晶圆正面是si面，背面是c面(0001)面，c面的氧化速率是si面的3～10倍，所以c面通过sio2层外扩散的co/co2副产物浓度也比si面高很多。

2、在实际热氧生产过程中，是在热氧化炉中，使用晶圆舟盛放若干个沿水平方向或竖直方向间隔均匀排布的sic晶圆，并通入氧气加热，使得sic晶圆表面反应生成热氧化层；由于sic晶圆的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅晶圆的热氧化层制备方法，多个碳化硅晶圆间隔排列，所述碳化硅晶圆具有相对设置的第一表面和第二表面，且相邻的两块碳化硅晶圆的第一表面和第二表面相对，其特征在于，在所述第一表面上进行离子注入处理、调节所述第一表面内掺杂离子剂量和能量后，再在所述碳化硅晶圆的第二表面制备热氧化层。

2.如权利要求1所述的碳化硅晶圆的热氧化层制备方法，其特征在于，所述碳化硅晶圆包括用以获得热氧化层厚度分布数据的碳化硅晶圆试样和用以制备热氧化层的碳化硅晶圆制品，所述制备方法包括以下步骤：

3.如权利要求2所述的碳化硅晶圆的热氧化层制备方法，其特征在于，所述试样的热氧化层厚度分布数...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅晶圆的热氧化层制备方法，多个碳化硅晶圆间隔排列，所述碳化硅晶圆具有相对设置的第一表面和第二表面，且相邻的两块碳化硅晶圆的第一表面和第二表面相对，其特征在于，在所述第一表面上进行离子注入处理、调节所述第一表面内掺杂离子剂量和能量后，再在所述碳化硅晶圆的第二表面制备热氧化层。

2.如权利要求1所述的碳化硅晶圆的热氧化层制备方法，其特征在于，所述碳化硅晶圆包括用以获得热氧化层厚度分布数据的碳化硅晶圆试样和用以制备热氧化层的碳化硅晶圆制品，所述制备方法包括以下步骤：

3.如权利要求2所述的碳化硅晶圆的热氧化层制备方法，其特征在于，所述试样的热氧化层厚度分布数据包括所述碳化硅晶圆试样的热氧化层分布map图、所述碳化硅晶圆试样第二表面上的坐标以及坐标对应的热氧化层厚度。

4.如权利要求3所述的碳化硅晶圆的热氧化层制备方法，其特征在于，对所述碳化硅晶圆制品的第一表面进行离子注入处理时，根据所述试样的热氧化层分布map图将所述第一表面分为多个待注入区，确定每个待注入区的坐标范围；

5.如权利要求4所述的碳化硅晶圆的热氧化层制备方法，其特征在于，所述碳化硅晶圆试样的热氧化层厚度tox'为每个待注入区中占比最大的热氧化层厚度，或者是待注入区内的热...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯尹，张鹏，
申请(专利权)人：珠海格力电子元器件有限公司，
类型：发明
国别省市：