半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底包括P阱区、N阱区；在所述P阱区以及所述N阱区上形成氮化硅层；在所述氮化硅层上形成第一光刻胶层；以所述第一光刻胶层为掩膜，刻蚀去除所述衬底上的部分所述氮化硅层；在所述N阱区上形成第二光刻胶层；以所述第二光刻胶层为掩膜，向所述P阱区的衬底内注入离子，形成N型轻掺杂区，以及N型源/漏区；在所述P阱区上形成第三光刻胶层；以所述第三光刻胶层为掩膜，向所述N阱区的衬底内注入离子，形成P型轻掺杂区以及P型源/漏区。实现在同一离子注入的条件下，同时形成P型轻掺杂区以及P型源/漏区、或N型轻掺杂区以及N型源/漏区，减少了光罩层数，简化工艺步骤，降低制程成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

1、半导体工艺制程中，轻掺杂漏(lightly doped drain，缩写为ldd)离子注入工艺是指在栅极的边界下方与源漏之间形成低掺杂的扩展区，该扩展区在源漏与沟道之间形成杂质浓度梯度，从而减小漏极附近的峰值电场，达到改善热载流子注入效应(hot carrierinjection，缩写为hci)，降低沟道漏电流，同时提高横向击穿电压的目的，提升器件可靠性。源漏(source/drain)离子注入工艺是指形成器件的源漏有源区的重掺杂工艺，降低器件有源区的串联电阻，提高器件的速度。

2、然而，现有的轻掺杂漏和源漏需要通过4次光刻和4次离子注入分别形成轻掺杂漏和源漏，增加了工艺步骤，提高了制程成本。

技术实现思路

1、本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以简化工艺步骤，降低制程成本。

2、为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括p阱区、n阱本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀去除所述氮化硅层的工艺为干法刻蚀工艺，所述干法刻蚀工艺的工艺参数为刻蚀气体为CH2F2、CHF3、O2、以及He中的一种或多种的组合，刻蚀气体的气体流量为40sccm至80sccm，偏置电压为50V至150V，刻蚀压强为30mTorr至60mTorr，刻蚀时间为70秒至120秒。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度范围为1300埃至1400埃，所述氮化硅的密度范围为3.24g/cm3至3.26g/cm3。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀去除所述氮化硅层的工艺为干法刻蚀工艺，所述干法刻蚀工艺的工艺参数为刻蚀气体为ch2f2、chf3、o2、以及he中的一种或多种的组合，刻蚀气体的气体流量为40sccm至80sccm，偏置电压为50v至150v，刻蚀压强为30mtorr至60mtorr，刻蚀时间为70秒至120秒。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度范围为1300埃至1400埃，所述氮化硅的密度范围为3.24g/cm3至3.26g/cm3。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，向所述p阱区或n阱区的衬底内注入离子的工艺参数为：离子浓度范围为2.0e4 ions/cm2至5.0e7 ions/cm2。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述氮化硅层的工艺为低压化学气相沉积工艺，所述化学气相沉积工艺的参数为：所述氮化硅层的沉积速率为每分钟15.3埃至每分钟16.5埃，所述氮化硅层的沉积时间为5100秒。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李贝贝，陶然，詹侃，汪海，
申请(专利权)人：浙江创芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：

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