【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种具有自旋极化空穴隧穿层的半导体激光元件。
技术介绍
1、激光器广泛应用于激光显示、激光电视、激光投影仪、通讯、医疗、武器、制导、测距、光谱分析、切割、精密焊接、高密度光存储等领域。激光器的各类很多，分类方式也多样，主要有固体、气体、液体、半导体和染料等类型激光器；与其他类型激光器相比，全固态半导体激光器具有体积小、效率高、重量轻、稳定性好、寿命长、结构简单紧凑、小型化等优点。
2、激光器与氮化物半导体发光二极管存在较大的区别：
3、1)激光是由载流子发生受激辐射产生，光谱半高宽较小，亮度很高，单颗激光器输出功率可在w级，而氮化物半导体发光二极管则是自发辐射，单颗发光二极管的输出功率在mw级；
4、2)激光器的使用电流密度达ka/cm2，比氮化物发光二极管高2个数量级以上，从而引起更强的电子泄漏、更严重的俄歇复合、极化效应更强、电子空穴不匹配更严重，导致更严重的效率衰减droop效应；
5、3)发光二极管自发跃迁辐射，无外界作用，从高能级跃迁到低能级...
【技术保护点】
1.一种具有自旋极化空穴隧穿层的半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，其特征在于，所述上波导层和上限制层之间设置有自旋极化空穴隧穿层，所述自旋极化空穴隧穿层具有电子亲和能分布特性；
2.根据权利要求1所述的具有自旋极化空穴隧穿层的半导体激光元件，其特征在于，所述自旋极化空穴隧穿层具有弹性系数分布特性，所述自旋极化空穴隧穿层的弹性系数具有函数y2＝ex-cosx曲线分布。
3.根据权利要求1所述的具有自旋极化空穴隧穿层的半导体激光元件，其特征在于，所述自旋极化空穴隧穿层具有电子有效质量分布特性...
【技术特征摘要】
1.一种具有自旋极化空穴隧穿层的半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，其特征在于，所述上波导层和上限制层之间设置有自旋极化空穴隧穿层，所述自旋极化空穴隧穿层具有电子亲和能分布特性；
2.根据权利要求1所述的具有自旋极化空穴隧穿层的半导体激光元件，其特征在于，所述自旋极化空穴隧穿层具有弹性系数分布特性，所述自旋极化空穴隧穿层的弹性系数具有函数y2＝ex-cosx曲线分布。
3.根据权利要求1所述的具有自旋极化空穴隧穿层的半导体激光元件，其特征在于，所述自旋极化空穴隧穿层具有电子有效质量分布特性，所述自旋极化空穴隧穿层的电子有效质量具有函数y3＝exsinx曲线分布。
4.根据权利要求1所述的具有自旋极化空穴隧穿层的半导体激光元件，其特征在于，所述自旋极化空穴隧穿层具有电子迁移率分布特性，所述自旋极化空穴隧穿层的电子迁移率具有函数y4＝x2ex曲线分布。
5.根据权利要求1所述的具有自旋极化空穴隧穿层的半导体激光元件，其特征在于，所述自旋极化空穴隧穿层还具有al/si元素比例分布特性，所述自旋极化空穴隧穿层的al/si元素比例具有函数y5＝exsinx曲线分布。
6.根据权利要求1所述的具有自旋极化空穴隧穿层的半导体激光元件，其特征在于，所述自旋极化空穴隧穿层还具有mg/si元素比例分布特性，所述自旋极化空穴隧穿层的mg/si元素比例具有函数y6＝exsinx曲线分布。
7.根据权利要求1所述的具有自旋极化空穴隧穿层的半导体激光元件，其特征在于，所述自旋极化空穴隧穿层为gan、ingan、inn、al...
【专利技术属性】
技术研发人员：阚宏柱，郑锦坚，黄军，张会康，寻飞林，邓和清，张江勇，蓝家彬，李晓琴，刘紫涵，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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