一种多层堆叠芯片封装结构制造技术

本公开实施例提供一种多层堆叠芯片封装结构，包括基板、多个第一芯片单元和第二芯片单元；第一芯片单元包括多个芯片、包裹芯片的第一塑封体、贯穿第一塑封体厚度的塑封体导电柱、设置于第一芯片单元第一表面的第一线路层以及设置于其第二表面的第二线路层，第一线路层和第二线路层与塑封体导电柱电连接；第二芯片单元包括多个芯片和包裹芯片的第二塑封体；多个第一芯片单元通过第二线路层依次堆叠设置于基板，第二芯片单元设置于最上层第一芯片单元；各芯片单元之间均通过塑封体导电柱垂直互连。该结构提升封装结构存储容量，且减少堆叠层数，提高封装结构稳定性；各芯片单元之间以塑封体导电柱实现垂直互连，降低对位精度要求，提高结构稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本公开实施例属于半导体封装，具体涉及一种多层堆叠芯片封装结构。

技术介绍

1、如图1所示，目前多个存储芯片30采用堆叠方式通过硅中介层24堆叠设置在基板22上，利用硅通孔32实现垂直互联，其中，顶部存储芯片36无硅通孔32结构；多层堆叠芯片封装结构堆叠的芯片数量越多，存储容量越大。随着芯片堆叠层数的增加，每一层与前一层之间的对位难度显著提升，为制造工艺带来严峻挑战，从而限制了堆叠层数的增加，影响存储容量的提升。

2、针对上述问题，有必要提出一种设计合理且有效解决上述问题的多层堆叠芯片封装结构。

技术实现思路

1、本公开实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种多层堆叠芯片封装结构。

2、本公开实施例提供一种多层堆叠芯片封装结构，包括：

3、基板；

4、多个第一芯片单元，所述第一芯片单元包括多个芯片、包裹多个所述芯片的第一塑封体、贯穿所述第一塑封体厚度的多个塑封体导电柱、设置于所述第一芯片单元第一表面的第一线路层以及设置于所述第一芯片单元第二表面的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多层堆叠芯片封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的多层堆叠芯片封装结构，其特征在于，所述第一芯片单元还包括互连焊球层，所述互连焊球层设置于所述第二线路层；

3.根据权利要求2所述的多层堆叠芯片封装结构，其特征在于，所述芯片的正面设置有与其焊点电连接的多个导电凸起，所述第一芯片单元还包括多个焊点，所述多个焊点与多个所述导电凸起相对应且电连接；其中，

4.根据权利要求3所述的多层堆叠芯片封装结构，其特征在于，所述第二芯片单元还包括焊点层，所述焊点层设置于所述第二芯片单元朝向所述基板的表面；

5.根据权利要求4所述的多层堆...

【技术特征摘要】

1.一种多层堆叠芯片封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的多层堆叠芯片封装结构，其特征在于，所述第一芯片单元还包括互连焊球层，所述互连焊球层设置于所述第二线路层；

3.根据权利要求2所述的多层堆叠芯片封装结构，其特征在于，所述芯片的正面设置有与其焊点电连接的多个导电凸起，所述第一芯片单元还包括多个焊点，所述多个焊点与多个所述导电凸起相对应且电连接；其中，

4.根据权利要求3所述的多层堆叠芯片封装结构，其特征在于，所述第二芯片单元还包括焊点层，所述焊点层设置于所述第二芯片单元朝向所述基板的表面；

5.根据权利要求4所述的多层堆叠芯片封装结构，其特征在于，所述焊点层的各焊点与所述第二芯片单元中所述芯片的各所述导电凸起相对应且电连接。

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【专利技术属性】
技术研发人员：陶玉娟，朱秋昀，杨灵，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：