二极管集成式制造方法及集成式二极管技术

本发明专利技术提出一种二极管集成式制造方法及集成式二极管，属于半导体技术领域，制造方法包括：在TMBS的外延衬底上划分TMBS区和TVS区，在TVS区上形成PN结，并在TVS区上形成TVS沟槽栅，在TMBS区上形成TMBS沟槽栅；在TMBS区形成绝缘层和层间介质层，并在TMBS区生成TMBS金属层，在TVS区生成TVS金属层，以得到第三中间晶圆；在第三中间晶圆上生长钝化层，并在钝化层上光刻出TMBS金属层和TVS金属层；在外延衬底的背面上形成背面金属层，以得到TMBS和TVS并联的集成式二极管。如此，TMBS和TVS集成在一块外延衬底上，大大地减少了衬底材料、工艺制程、封装及线材等成本。同时，实现一起封装，从而能够避免因单独封装接线而导致的应用失效风险，极大地降低应用失效风险。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体而言，涉及一种二极管集成式制造方法及集成式二极管。

技术介绍

1、沟槽式金属氧化物半导体肖特基势垒二极管(trench mos barrier schottkydiode,tmbs)与瞬态抑制二极管(transient voltage suppressor,tvs)是现代光伏新能源核心的续流及保护器件，是光伏太阳能电池旁路保护系统的重要组织部分，由金属、氧化物和半导体材料加工形成。

2、tmbs应用于光伏旁路集成模块接线盒，是光伏连接保护系统的核心器件，使光伏组件运行更安全、更可靠。tvs用于过电压保护，当被保护电路瞬间出现浪涌脉冲电压时，双向击穿二极管能迅速齐纳击穿，由高阻状态变为低阻状态，对浪涌电压进行分流和箝位，从而保护电路中各元件不被瞬间浪涌脉冲电压损坏。在光伏太阳能板中，tmbs与tvs两种保护器件需要分别封装及接线，形成光伏太阳能电池组旁路保护系统，对太阳能模块起到关键的保护作用。

3、常规太阳能模块需要使用tmbs和tvs起到续流及保护作用，单一器件单独封装接线，大大了增加了衬底材料、工艺制程本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种二极管集成式制造方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的二极管集成式制造方法，其特征在于，所述在所述TVS区上形成PN结的步骤，包括：

3.根据权利要求2所述的二极管集成式制造方法，其特征在于，所述进行高温推结的步骤，包括：

4.根据权利要求1所述的二极管集成式制造方法，其特征在于，所述在所述第一中间晶圆的所述TVS区上形成TVS沟槽栅，在所述第一中间晶圆的TMBS区上形成TMBS沟槽栅的步骤，包括：

5.根据权利要求4所述的二极管集成式制造方法，其特征在于，所述磷离子的注入能量为90～120kev，所述磷离子的注...

【技术特征摘要】

1.一种二极管集成式制造方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的二极管集成式制造方法，其特征在于，所述在所述tvs区上形成pn结的步骤，包括：

3.根据权利要求2所述的二极管集成式制造方法，其特征在于，所述进行高温推结的步骤，包括：

4.根据权利要求1所述的二极管集成式制造方法，其特征在于，所述在所述第一中间晶圆的所述tvs区上形成tvs沟槽栅，在所述第一中间晶圆的tmbs区上形成tmbs沟槽栅的步骤，包括：

5.根据权利要求4所述的二极管集成式制造方法，其特征在于，所述磷离子的注入能量为90～120kev，所述磷离子的注入剂量为1014～1016个/cm2。

6.根据权利要求1所述的二极管集成式制造方法，其特征在于，所述在所述第二中间晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹刚，周榕榕，周宗凌，
申请(专利权)人：捷捷微电南通科技有限公司，
类型：发明
国别省市：