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本发明提出一种二极管集成式制造方法及集成式二极管，属于半导体技术领域，制造方法包括：在TMBS的外延衬底上划分TMBS区和TVS区，在TVS区上形成PN结，并在TVS区上形成TVS沟槽栅，在TMBS区上形成TMBS沟槽栅；在TMBS区形成绝...
该专利属于捷捷微电(南通)科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过捷捷微电(南通)科技有限公司授权不得商用。

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