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本发明提出了碳化硅晶圆的热氧化层制备方法、碳化硅器件的加工方法。其中碳化硅晶圆的热氧化层制备方法，多个碳化硅晶圆间隔排列，所述碳化硅晶圆具有相对设置的第一表面和第二表面，且相邻的两块碳化硅晶圆的第一表面和第二表面相对，在所述第一表面上进行离...
该专利属于珠海格力电子元器件有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海格力电子元器件有限公司授权不得商用。

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