【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体领域，尤其涉及存储器及其制备方法、存储器系统和电子设备。
技术介绍
1、随着半导体制造技术的发展，存储器也朝着更高位密度和更高集成度的方向发展。然而，随着存储器的集成度越来越高，存储器的散热问题也越来越突出，若存储器无法及时有效的进行散热，高温会对存储器中的电路产生损伤，影响存储器工作的稳定性。
技术实现思路
1、根据本公开实施例的第一方面，提供一种存储器，所述存储器包括键合的第一半导体结构和第二半导体结构；所述第一半导体结构包括第一介质层和位于所述第一介质层中的第一导电柱；所述第二半导体结构包括第二介质层和位于所述第二介质层中的第二导电柱；所述第二导电柱和所述第一导电柱连接；
2、所述存储器还包括位于所述第一介质层和/或所述第二介质层中的散热通道；其中，所述散热通道与所述第一导电柱和/或所述第二导电柱间隔设置。
3、在一些实施例中，所述散热通道包括：
4、第一散热通道，位于所述第一介质层中且与所述第一导电柱间隔设置；
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【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括键合的第一半导体结构和第二半导体结构；所述第一半导体结构包括第一介质层和位于所述第一介质层中的第一导电柱；所述第二半导体结构包括第二介质层和位于所述第二介质层中的第二导电柱；所述第二导电柱和所述第一导电柱连接；
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述散热通道包括：
3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述散热通道还包括：
5.根据权利要求1或2所述的存储器，其特征在于，所述散热通道包括：依次连接的多个环形子通道；p>
6.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括键合的第一半导体结构和第二半导体结构；所述第一半导体结构包括第一介质层和位于所述第一介质层中的第一导电柱；所述第二半导体结构包括第二介质层和位于所述第二介质层中的第二导电柱；所述第二导电柱和所述第一导电柱连接；
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述散热通道包括：
3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述散热通道还包括：
5.根据权利要求1或2所述的存储器，其特征在于，所述散热通道包括：依次连接的多个环形子通道；
6.根据权利要求1或2所述的存储器，其特征在于，所述散热通道包括：空隙或塑封介质。
7.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括键合的第一半导体结构和第二半导体结构；所述第一半导体结构包括第一介质层和部分位于所述第一介质层中的第一导电柱；所述第二半导体结构包括第二介质层和部分位于所述第二介质层中的第二导电柱；所述第二导电柱和所述第一导电柱连接；
8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述第一导电柱包括第一子导电柱和第二子导电柱，所述第一子导电柱位于所述第一介质层中，所述第二子导电柱位于所述填充层中；所述第二导电柱包括第三子导电柱和第四子导电柱，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑好，范冬宇，刘磊，夏志良，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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