薄膜构图方法及制造液晶显示装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种薄膜构图方法及制造液晶显示装置的方法，该薄膜构图方法包括：步骤１，基板上沉积第一薄膜，并涂布光刻胶；步骤２，采用双调掩模板对光刻胶进行曝光和显影后，形成第一区域、第二区域和第三区域；步骤３，对第一薄膜进行过刻，在第三区域去除第一薄膜，并且在第一区域的周边形成过刻区域；步骤４，对光刻胶进行灰化，露出位于第二区域的第一薄膜；步骤５，沉积第二薄膜，在第二区域第一薄膜与第二薄膜接触；步骤６，剥离光刻胶，去除位于第一区域的第二薄膜，并且在第一区域的过刻区域露出基板。该薄膜构图方法采用了双调掩模板，通过剥离工艺和过刻工艺，形成薄膜重叠的区域和薄膜都被去除的区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别涉及用一个掩模板形成具有两个不同图案的复合层结构的薄膜构图方法以及采用该薄膜构图方法的制造液晶 显示装置的方法。
技术介绍
微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的 技术。微电子技术包括系统电路设计、薄膜构图方法、材料制备、自动测试以及封装、组装等 一系列专门的技术。随着微电子技术的发展，其应用领域逐步扩大到其他一些精密设备的 制造过程，如液晶显示装置等。 —般来讲，在微电子技术中，通过溅射(sputtering)方法、化学气相沉积 (Chemical V即or D印osition，简称为CVD)法或者涂布(coating)方法形成薄膜，通过光 刻(photolithogr即h)法在上述的薄膜上形成图案，并且通过重复上述两个步骤形成由多 层薄膜构成的电子部件。 普通的光刻法包括在一个薄膜上形成光刻胶(photoresist,简称为PR);通过掩 模板(mask)曝光和显影所述光刻胶，并在光刻胶上形成图案；根据所述光刻胶的图案蚀刻 薄膜，并在所述薄膜上形成图案。 但是，在所述光刻工艺中所使用的掩模板的价格比较高，因此在制作电子部件时 对制造成本的影响也比较大。为了降低制造成本，出现了采一个掩模板在2层薄膜上同时 形成图案的薄膜构图方法，如采用双调掩模板(dualtone mask)的薄膜构图方法和采用剥 离(lift off)工艺的薄膜构图方法。 采用双调掩模板的薄膜构图方法包括依次沉积第一薄膜和第二薄膜；涂布光刻 胶，并采用双调掩模板进行曝光和显影；蚀刻薄膜；对光刻胶进行灰化(ashing);再次蚀刻 薄膜；去除(strip)光刻胶。 采用剥离工艺的薄膜构图方法包括沉积第一薄膜；涂布光刻胶，并采用掩模板 进行曝光；蚀刻薄膜；沉积第二薄膜；采用剥离工艺去除光刻胶时，将位于光刻胶上的第二 薄膜同时去掉。 其中，采用双调掩模板的薄膜构图方法，不能形成仅有第二薄膜的区域。 其中，采用剥离工艺的薄膜构图方法，不能形成第一薄膜和第二薄膜重叠的区域，并且也不能形成第一薄膜和第二薄膜被去除的区域。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种薄膜构图方法，通过一个掩模板同时构图2个薄膜，采 用双调掩模板、剥离工艺和过刻，能够形成两个薄膜重叠的区域、仅有一个薄膜的区域以及 两个薄膜都被去除的区域。 为实现上述目的，本专利技术提供了一种薄膜构图方法，包括 步骤l，在基板上沉积第一薄膜，并涂布光刻胶； 步骤2，采用双调掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影后，形成第一区域、第二区 域和第三区域，所述第一区域的光刻胶比所述第二区域的光刻胶厚，所述第三区域没有光 刻胶； 步骤3，对所述第一薄膜进行过刻，在所述第三区域去除所述第一薄膜，并且在所 述第一区域的周边形成过刻区域； 步骤4，对光刻胶进行灰化，露出位于所述第二区域的所述第一薄膜； 步骤5，沉积第二薄膜，在所述第二区域所述第一薄膜与所述第二薄膜接触； 步骤6，剥离光刻胶，去除位于所述第一区域的第二薄膜，并且在所述第一区域的过刻区域露出所述基板。 其中，在所述步骤3中，与所述第二区域相邻的所述第一区域的周边区域形成由 所述第一薄膜构成的图案。 其中，在所述步骤3中，与所述第三区域相邻的所述第一区域的周边区域露出所 述基板。 其中，在所述步骤3中，通过湿蚀刻法，对所述第一薄膜进行过刻。 其中，在所述步骤3中，通过所述过刻，使所述第一薄膜具有3iim以上偏差。 为实现上述目的，本专利技术还提供了一种制造液晶显示装置的方法，包括 步骤l，在基板上沉积公共电极透明导电层，并涂布光刻胶； 步骤2，采用双调掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影后，形成第一区域、第二区 域和第三区域，所述第一区域的光刻胶比所述第二区域的光刻胶厚，所述第三区域没有光 刻胶； 步骤3，对所述公共电极透明导电层进行过刻，在所述第三区域去除所述公共电极 透明导电层，并且在所述第一区域的周边形成过刻区域； 步骤4，对光刻胶进行灰化，露出位于所述第二区域的所述公共电极透明导电层； 步骤5，沉积栅金属层，在所述第二区域所述公共电极透明导电层与所述栅金属层 接触； 步骤6，剥离光刻胶，去除位于所述第一区域的栅金属层，并且在所述第一区域的 过刻区域露出所述基板，从而形成了栅线、公共线以及与所述公共线接触的公共电极； 步骤7，经过步骤6的基板上形成包括源/漏电极金属层的薄膜晶体管； 步骤8，经过步骤7的基板上形成像素电极。为实现上述目的，本专利技术还提供了一种制造液晶显示装置的方法，包括 步骤1 ，在基板上形成栅线； 步骤2，在经过步骤1的基板上沉积源/漏电极金属层，并涂布光刻胶； 步骤3，采用双调掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影后，形成第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域的光刻胶比所述第二区域的光刻胶厚，所述第三区域没有光刻胶； 步骤4，对所述源/漏电极金属层进行过刻，在所述第三区域去除所述源/漏电极 金属层，并且在所述第一区域的周边形成过刻区域； 步骤5，对光刻胶进行灰化，露出位于所述第二区域的所述源/漏电极金属层；5 步骤6，沉积像素电极透明导电层，在所述第二区域所述源/漏电极金属层与所述 像素电极透明导电层接触； 步骤7，剥离光刻胶，去除位于所述第一区域的像素电极透明导电层，并且在所述第一区域的过刻区域露出所述基板，从而形成了薄膜晶体管和像素电极； 步骤8，经过步骤7的基板上形成薄膜晶体管沟道和公共电极。 为实现上述目的，本专利技术还提供了一种制造液晶显示装置的方法，包括 步骤1 ，在基板上形成栅线； 步骤2，在经过步骤1的基板上沉积源/漏电极金属层，并涂布光刻胶； 步骤3，采用双调掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影后，形成第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域的光刻胶比所述第二区域的光刻胶厚，所述第三区域没有光刻胶； 步骤4，对所述源/漏电极金属层进行过刻，在所述第三区域去除所述源/漏电极 金属层，并且在所述第一区域的周边形成过刻区域； 步骤5，对光刻胶进行灰化，露出位于所述第二区域的所述源/漏电极金属层； 步骤6，沉积像素电极透明导电层，在所述第二区域所述源/漏电极金属层与所述 像素电极透明导电层接触； 步骤7，剥离光刻胶，去除位于所述第一区域的像素电极透明导电层，并且在所述第一区域的过刻区域露出所述基板，从而形成了薄膜晶体管和像素电极； 步骤8，经过步骤7的基板上形成薄膜晶体管沟道。 本专利技术的薄膜构图方法，通过过刻在第一区域的中心区域形成由第一薄膜构成的 图案，通过剥离工艺在第三区域的中心区域形成由第二薄膜构成的图案，并且在第二区域 形成由第一薄膜和第二薄膜构成的图案，从而实现了具有两个不同图案的复合层结构。 下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。附图说明图1为本专利技术第一图2a为本专利技术第-图2b为本专利技术第-图2c为本专利技术第-图2d为本专利技术第-图3a为本专利技术第二图3b为本专利技术第二图3c为本专利技术第二图3d为本专利技术第二图3e为本专利技术第二图3f为本专利技术第二图3g为本专利技术第二图3h为本专利技术第二图3i为本专利技术第二-实施例 -实施例 -实施例 -实施例:实施例 :实施例 :实施例中 :实施例中 :实施例中 :实施例中 :实施例中 :实施例中中经过; 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜构图方法，其特征在于，包括：步骤１，在基板上沉积第一薄膜，并涂布光刻胶；步骤２，采用双调掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影后，形成第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域的光刻胶比所述第二区域的光刻胶厚，所述第三区域没有光刻胶；步骤３，对所述第一薄膜进行过刻，在所述第三区域去除所述第一薄膜，并且在所述第一区域的周边形成过刻区域；步骤４，对光刻胶进行灰化，露出位于所述第二区域的所述第一薄膜；步骤５，沉积第二薄膜，在所述第二区域所述第一薄膜与所述第二薄膜接触；步骤６，剥离光刻胶，去除位于所述第一区域的第二薄膜，并且在所述第一区域的过刻区域露出所述基板。

【技术特征摘要】
一种薄膜构图方法，其特征在于，包括步骤1，在基板上沉积第一薄膜，并涂布光刻胶；步骤2，采用双调掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影后，形成第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域的光刻胶比所述第二区域的光刻胶厚，所述第三区域没有光刻胶；步骤3，对所述第一薄膜进行过刻，在所述第三区域去除所述第一薄膜，并且在所述第一区域的周边形成过刻区域；步骤4，对光刻胶进行灰化，露出位于所述第二区域的所述第一薄膜；步骤5，沉积第二薄膜，在所述第二区域所述第一薄膜与所述第二薄膜接触；步骤6，剥离光刻胶，去除位于所述第一区域的第二薄膜，并且在所述第一区域的过刻区域露出所述基板。2. 根据权利要求1所述的薄膜构图方法，其特征在于，在所述步骤3中，与所述第二区域相邻的所述第一区域的周边区域形成由所述第一薄 膜构成的图案。3. 根据权利要求1所述的薄膜构图方法，其特征在于，在所述步骤3中，与所述第三区域相邻的所述第一区域的周边区域露出所述基板。4. 根据权利要求1所述的薄膜构图方法，其特征在于，在所述步骤3中，通过湿蚀刻法， 对所述第一薄膜进行过刻。5. 根据权利要求4所述的薄膜构图方法，其特征在于，在所述步骤3中，通过所述过刻， 使所述第一薄膜具有3 ii m以上偏差。6. —种制造液晶显示装置的方法，其特征在于，包括 步骤l，在基板上沉积公共电极透明导电层，并涂布光刻胶；步骤2，采用双调掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影后，形成第一区域、第二区域 和第三区域，所述第一区域的光刻胶比所述第二区域的光刻胶厚，所述第三区域没有光刻 胶；步骤3，对所述公共电极透明导电层进行过刻，在所述第三区域去除所述公共电极透明 导电层，并且在所述第一区域的周边形成过刻区域；步骤4，对光刻胶进行灰化，露出位于所述第二区域的所述公共电极透明导电层； 步骤5，沉积栅金属层，在所述第二区域所述公共电极透明导电层与所述栅金属层接触；步骤6，剥离光刻胶，去除位于所述第一区域的栅金属层，并且在所述第一区域的过刻 区域露出所述基板，从而形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：闵泰烨，林壮奎，宋省勳，高雪松，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]