一种具有叠层的Micro-LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种具有叠层的Micro‑LED芯片及其制作方法，利用呈阶梯状的叠层技术，使所有的P型半导体层在相应的阶梯面各自具有电极接入区域，可在实现第一发光结构、第二发光结构以及第三发光结构的独立驱动的基础上，可最大限度地节省晶圆面积实现全彩化，降低生产成本；同时结合所述第一发光结构的P型半导体层和所述第二发光结构的P型半导体层通过绝缘键合层进行键合的设置，如此可避免聚合物粘合剂在键合所述第一发光结构和第二发光结构过程中所出现的因键合厚度不均匀而导致的刻蚀不净现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管领域，尤其涉及一种具有叠层的micro-led芯片及其制作方法。

技术介绍

1、发光二极管(英文：light emitting diode，简称：led)是一种能发光的半导体电子元件。led具有效率高、寿命长、体积小、功耗低等优点，可以应用于室内外白光照明、屏幕显示、背光源等领域。

2、其中，通过键合的方式将蓝、绿、红三色led芯片叠加在一起来制备micro-led，这种方式制作的全彩micro-led可以更好的混合在一起，并且由于三色芯片是垂直堆叠的，相对传统显示，对于相同分辨率的屏幕，其叠层结构所应用的芯片尺寸可以大三倍，芯片尺寸大不仅提高了产品的良率，对于micro-led而言，在一定程度上规避了尺寸效应(器件越小，外量子效率越低)，所以叠层结构在推动micro-led实现全彩化过程中起到重要作用。

3、然而，而在垂直堆叠的led结构中，尽管消除了外部光学器件，但由于向下发射光的严重损失，堆叠结构的光学性能仍然令人不满意，低光提取仍然是限制堆叠rgb led光学性能的主要瓶颈。金属涂层，如au和al，被本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有叠层的Micro-LED芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的具有叠层的Micro-LED芯片，其特征在于，所述第二发光结构的N型半导体层和所述第三发光结构的N型半导体层通过金属键合层进行键合。

3.根据权利要求1所述的具有叠层的Micro-LED芯片，其特征在于，所述第一发光结构、第二发光结构、第三发光结构依次发射第一波长的光、第二波长的光、第三波长的光，且所述第一波长分别小于所述第二波长和第三波长。

4.根据权利要求1至3任一项所述的具有叠层的Micro-LED芯片，其特征在于，在所述第一发光结构靠近所述绝缘键合层的一侧表面...

【技术特征摘要】

1.一种具有叠层的micro-led芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的具有叠层的micro-led芯片，其特征在于，所述第二发光结构的n型半导体层和所述第三发光结构的n型半导体层通过金属键合层进行键合。

3.根据权利要求1所述的具有叠层的micro-led芯片，其特征在于，所述第一发光结构、第二发光结构、第三发光结构依次发射第一波长的光、第二波长的光、第三波长的光，且所述第一波长分别小于所述第二波长和第三波长。

4.根据权利要求1至3任一项所述的具有叠层的micro-led芯片，其特征在于，在所述第一发光结构靠近所述绝缘键合层的一侧表面设有第一反射结构；且所述第一反射结构用于反射所述第一波长的光，并透射所述第二波长的光和第三波长的光。

5.根据权利要求4所述的具有叠层的micro-led芯片，其特征在于，所述第一反射结...

【专利技术属性】
技术研发人员：段其涛，王乐，冯妍雪，江晟权，柯志杰，
申请(专利权)人：厦门未来显示技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：