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本发明提供了一种具有叠层的Micro‑LED芯片及其制作方法,利用呈阶梯状的叠层技术,使所有的P型半导体层在相应的阶梯面各自具有电极接入区域,可在实现第一发光结构、第二发光结构以及第三发光结构的独立驱动的基础上,可最大限度地节省晶圆面积实现...该专利属于厦门未来显示技术研究院有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过厦门未来显示技术研究院有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种具有叠层的Micro‑LED芯片及其制作方法,利用呈阶梯状的叠层技术,使所有的P型半导体层在相应的阶梯面各自具有电极接入区域,可在实现第一发光结构、第二发光结构以及第三发光结构的独立驱动的基础上,可最大限度地节省晶圆面积实现...