本申请公开了一种半导体探测器及其制备方法，涉及探测器技术领域，该半导体探测器包括衬底和位于衬底上的至少一个探测单元，探测单元包括沿背离衬底的方向设置的第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层、第二半导体层、第三绝缘层以及导电层；作为探测灵敏区的第二半导体层，其靠近衬底一侧通过过孔与第一半导体层接触连接，第一半导体层继而通过过孔与导电层中的第一电极连接，第二半导体层背离衬底一侧通过过孔与导电层中的第二电极连接，且不同探测单元的第二半导体层被环绕的第四过孔隔离，相当于将第一电极设置在第二半导体层和衬底之间，而不是设置在衬底背离第二电极一侧，从而使探测灵敏区厚度得以大大减小，提高半导体探测器的响应速度。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及探测器，尤其涉及一种半导体探测器及其制备方法。
技术介绍
1、半导体探测器是以半导体材料为探测介质的辐射探测器。半导体探测器有正负两种电极，在正负电极间施加反向偏压，从而形成耗尽区作为探测灵敏区，当带电粒子进入半导体探测器的探测灵敏区后会电离产生电子-空穴对，这些电子空穴对在电场作用下分别向正负电极漂移而输出信号。
2、现有半导体探测器通常将正负电极分别制作在晶圆的上下两个表面，继而将信号从晶圆的一面电极中读出，如此，现有半导体探测器的制作工艺对晶圆厚度具有一定的要求，例如，4-6英寸工艺要求晶圆至少300微米，而8英寸工艺要求晶圆至少500微米，这也造成探测灵敏区的厚度较大。
3、然而，随着不同应用场景如大型强子对撞机、同步辐射光源等对半导体探测器响应速度的要求越来越高，现有半导体探测器厚度较大的探测灵敏区已不能满足应用需求，需要对探测厚度（即探测灵敏区厚度）进一步减薄到数十μm乃至数μm以下，而传统的衬底抛光减薄工艺仅能够将衬底厚度减薄至100μm左右，无法满足先进高能探测器的应用需求。
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【技术保护点】
1.一种半导体探测器，其特征在于，包括衬底和位于所述衬底上的至少一个探测单元；
2.根据权利要求1所述的半导体探测器，其特征在于，所述探测单元还包括部分环绕的第五过孔，所述第五过孔贯穿所述第一绝缘层、所述第一半导体层和所述第二绝缘层，并延伸至所述第二半导体层内部，所述第五过孔位于所述第一过孔和所述第四过孔之间。
3.根据权利要求2所述的半导体探测器，其特征在于，所述第五过孔为空腔，或填充有绝缘材料，或混合填充有空气和绝缘材料。
4.根据权利要求1所述的半导体探测器，其特征在于，所述第一半导体层的材料为多晶硅，所述第二半导体层的材料为高阻硅。
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【技术特征摘要】
1.一种半导体探测器，其特征在于，包括衬底和位于所述衬底上的至少一个探测单元；
2.根据权利要求1所述的半导体探测器，其特征在于，所述探测单元还包括部分环绕的第五过孔，所述第五过孔贯穿所述第一绝缘层、所述第一半导体层和所述第二绝缘层，并延伸至所述第二半导体层内部，所述第五过孔位于所述第一过孔和所述第四过孔之间。
3.根据权利要求2所述的半导体探测器，其特征在于，所述第五过孔为空腔，或填充有绝缘材料，或混合填充有空气和绝缘材料。
4.根据权利要求1所述的半导体探测器，其特征在于，所述第一半导体层的材料为多晶硅，所述第二半导体层的材料为高阻硅。
5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘曼文，李志华，刘强，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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