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本申请公开了一种半导体探测器及其制备方法，涉及探测器技术领域，该半导体探测器包括衬底和位于衬底上的至少一个探测单元，探测单元包括沿背离衬底的方向设置的第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层、第二半导体层、第三绝缘层以及导电层；作为探测灵敏区的...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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