高效太阳电池新型圆角集成旁路二极管的制造方法技术

本发明专利技术涉及太阳电池制造，公开了一种高效太阳电池新型圆角集成旁路二极管的制造方法，包括１、圆角集成旁路二极管图形光刻版设计与制作；２、圆角集成旁路二极管图形湿法化学腐蚀隔离槽；３、背面电极蒸发Ｐｄ／Ａｇ／Ａｕ；４、集成二极管正面电极光刻版防短路设计与蒸发；５、减反射膜蒸发ＡｌＯ／ＴｉＯ；６、划片机电池分离；７、检测，本发明专利技术解决了这种太阳电池易受静电击穿和产量限制等问题，取得了成本低廉、实现十几层化合物半导体材料大面积均匀刻蚀、时间可控、可重复性高，以及器件可靠性改善等有益效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳电池的制造方法，特别涉及GalnP/GaAs/Ge太阳电池与防阴影集成二极管融合制造的方法。
技术介绍
航天事业的飞速发展，使得空间飞行器对电源系统的要求也不断提高，即要求大功率、长寿命，同时尽可能地减少太阳帆板的面积和重量。研究与实用结果已证明，多结砷化镓(GaAs)太阳电池以其更高的光电转换效率、更好的耐高温性能、更强的空间抗辐射能力脱颖而出，成为了目前世界上最具竞争力的新一代空间主电源，也是我国航天飞行器急需的高性能长寿命通用化空间主电源。 太阳电池阵在空间工作时，由于飞行器运动造成的阴影遮挡，或者电池本身出现问题，使得电池阵中局部电池不能正常工作，从而影响了电源系统的工作状态。对于高功率的多结砷化镓太阳电池，某串电池的暂时失效将极大影响整个电池阵的工作；而对于受阴影遮挡的单片电池，由于其他电池的正常工作，受到较高的反向电压，电池此时将很快发热，导致永久性损害，电池阵也将受到损害。 旁路二极管是与一片或多片电池并联的二极管，它可以保护这些电池免于因局部阴影、电池坏片或单体电池造成的整串电池失效而受到的热损害。因此旁路二极管对保护太阳电池阵的正常工作有重要的作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高效太阳电池新型圆角集成旁路二极管的制造方法，包括：圆角集成旁路二极管图形光刻版设计与制作、圆角集成旁路二极管图形湿法化学腐蚀隔离槽、背面电极蒸发、减反射膜蒸发、划片机电池分离、测试；其特征在于，该方法采用ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池工艺与圆角旁路二极管集成湿法化学腐蚀方法融合制造的工艺，包括如下的步骤：步骤１、圆角集成旁路二极管图形光刻版设计与制作，选择旁路二极管图形的边缘和圆角，把裸露区域控制在二极管面积的５％以下；步骤２、圆角集成旁路二极管图形湿法化学腐蚀隔离槽，对Ｐ化物采用ＨＣｌ，Ａｓ化物采用１Ｈ↓［３］ＰＯ↓［４］：１Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］：３Ｈ↓［２］Ｏ，对Ｇｅ化物采用２Ｈ...

【技术特征摘要】
一种高效太阳电池新型圆角集成旁路二极管的制造方法，包括圆角集成旁路二极管图形光刻版设计与制作、圆角集成旁路二极管图形湿法化学腐蚀隔离槽、背面电极蒸发、减反射膜蒸发、划片机电池分离、测试；其特征在于，该方法采用GaInP/GaAs/Ge太阳电池工艺与圆角旁路二极管集成湿法化学腐蚀方法融合制造的工艺，包括如下的步骤步骤1、圆角集成旁路二极管图形光刻版设计与制作，选择旁路二极管图形的边缘和圆角，把裸露区域控制在二极管面积的5％以下；步骤2、圆角集成旁路二极管图形湿法化学腐蚀隔离槽，对P化物采用HCl，As化物采用1H3PO4:1H2O2:3H2O，对Ge化物采用2HF:1H2O2:7CH3COOH腐蚀溶液；步骤3、背面电极蒸发Pd/Ag/Au；步骤4、集成旁路二极管正面电极光刻版防短路设计与蒸发，制作电极蒸发光刻版与二极管图形制作光刻版，其边缘预留区域为70～90微米；步骤5、减反射膜蒸发AlO/TiO；步骤6、划片机电池分离；步骤7、圆角集成本体二极管测试检测。2. 如权利要求1所述的高效太阳电池圆角集成旁路二极管的制造方法，其特征在于所述的步骤1、圆角集成旁路二极管图形光刻版制作，进一步包括步骤1-1 、1/4圆弧长圆角光刻版制作；步骤l-2、光刻胶掩膜；步骤l-3、光刻机暴光60秒；步骤1-4、显影50 60秒并清洗；步骤l-...

【专利技术属性】
技术研发人员：张玮，姜德鹏，陈鸣波，张忠卫，池卫英，陆剑峰，王训春，钱勇，
申请(专利权)人：上海空间电源研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]