SONOS存储器及其制造方法和使用方法技术

本发明专利技术公开了一种SONOS存储器及其制造方法和使用方法，所述SONOS存储器，包括形成于硅衬底上的存储单元管和选择管，其存储单元管和选择管的栅介质层为ONO层；ONO层由依次形成于硅衬底表面的氧化硅，氮化硅，氧化硅组成。本发明专利技术利用现有的制作工艺无需额外开发工艺以及额外光罩，在刻蚀0N0层是主动保留选择管区域的ONO层作为栅介质层，通过上述结构改进，在基于需求对SONOS通过对ONO进行写入动作或擦除动作时间改变，进而改变选择管电容VT，实现选择管电容工作电压变化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种

技术介绍

1、硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(silicon-oxide-nitride-oxide-silicon，sonos)存储器的单元结构包括一个存储单元管和一个选择管，两个器件的栅介质层在存储器工作时承受的纵向电场强度都大于cmos器件。

2、示例性的，一种现有sonos存储器包括：存储单元管和选择管形成于硅衬底的p阱中，存储单元管的栅介质层为ono层；选择管的栅介质层为栅氧化硅层。存储单元管的多晶硅栅形成于层顶部，选择管的多晶硅栅形成于栅氧化硅层的顶部，在多晶硅栅的侧面都形成有氮化硅侧墙，在氮化硅侧墙和多晶硅栅侧面间隔离有氧化硅层。存储单元管和选择管共用一个源漏区。

3、sonos存储器使用较薄的o-n-o三层结构代替了浮栅存储器中复杂的叠栅结构,因而更具有可缩小性；兼容cmos工艺；只需要额外三层掩膜版,降低了sonos的制造工艺复杂度和生产成本；较薄的氧化层厚度,使擦写操作电压更低,电荷泵更小；超过500k次的抗擦写特性和20年的保持特性使存储器性能更加可靠。诸多优点使得sonos存储器得到了更为本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SONOS存储器，包括形成于硅衬底上的存储单元管和选择管，其特征在于：

2.如权利要求1所述的SONOS存储器，其特征在于：所述SONOS存储器是镜像分栅SONOS存储器。

3.一种SONOS存储器制造方法，其采用现有SONOS存储器制作工艺步骤，其特征在于：

4.如权利要求3所述的SONOS存储器制造方法，其特征在于：其能用于45nm工艺节点、40nm工艺节点、55nm工艺节点、65nm工艺节点、90nm工艺节点以及130nm以上工艺节点。

5.一种权利要求1所述SONOS存储器使用方法，其特征在于：

<p>6.如权利要求5...

【技术特征摘要】

1.一种sonos存储器，包括形成于硅衬底上的存储单元管和选择管，其特征在于：

2.如权利要求1所述的sonos存储器，其特征在于：所述sonos存储器是镜像分栅sonos存储器。

3.一种sonos存储器制造方法，其采用现有sonos存储器制作工艺步骤，其特征在于：

4.如权利要求3所述的sonos存储器制造方法，其特征在于：其能用于45nm工艺节点、40nm...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴嘉锦，赵鹏，蔡彬，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：