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本发明公开了一种SONOS存储器及其制造方法和使用方法，所述SONOS存储器，包括形成于硅衬底上的存储单元管和选择管，其存储单元管和选择管的栅介质层为ONO层；ONO层由依次形成于硅衬底表面的氧化硅，氮化硅，氧化硅组成。本发明利用现有的制作...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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