【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及红外探测器，具体是一种红外焦平面芯片的背减薄工艺。
技术介绍
1、红外焦平面探测器具有灵敏度高、环境适应性好、抗干扰能力强、重量轻、功耗低等优点，被广泛应用于航空航天红外遥感、国防、气象、环境、医学和科学仪器等领域。在单色探测领域，锑化铟(insb)焦平面探测器在生产成本、像元均匀性、一致性方面具有明显优势。
2、现有insb焦平面探测器通常借助倒装焊技术把insb光敏元芯片和硅读出电路通过铟柱阵列互连混成，之后在insb光敏元芯片和硅读出电路的间隙中填入底充胶材料以提高铟柱焊点的可靠性，随后通过背减薄工艺对insb光敏元芯片进行背减薄到10μm，以提高量子效率。减薄后的insb光敏元芯片表面应该是洁净的、无加工损伤的、平整的和镜面光滑的，这样才能有效提高器件的量子效率。
3、现有技术的不足之处在于：现有技术中的insb光敏元芯片背减薄工艺通常为单点减薄，减薄后的insb光敏元芯片表面易存在刀纹、划痕等损伤，影响红外焦平面探测器成像效果，且单片减薄生产效率较低。因此，本领域技术人员提供了一种红外焦平...
【技术保护点】
1.一种红外焦平面芯片的背减薄工艺，其特征在于：具体包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种红外焦平面芯片的背减薄工艺，其特征在于：每个石英衬底片上可贴1～6片红外焦平面探测器芯片。
3.根据权利要求1所述的一种红外焦平面芯片的背减薄工艺，其特征在于：硅陪片(1)的厚度与硅读出电路(3)厚度相同，第一通孔(2)尺寸与硅读出电路(3)尺寸相同；
4.根据权利要求1所述的一种红外焦平面芯片的背减薄工艺，其特征在于：研磨溶液中三氧化二铝溶液的质量浓度为20～25％，过氧化氢溶液的质量浓度为40～50％。
5.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种红外焦平面芯片的背减薄工艺，其特征在于：具体包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种红外焦平面芯片的背减薄工艺，其特征在于：每个石英衬底片上可贴1～6片红外焦平面探测器芯片。
3.根据权利要求1所述的一种红外焦平面芯片的背减薄工艺，其特征在于：硅陪片(1)的厚度与硅读出电路(3)厚度相同，第一通孔(2)尺寸与硅读出电路(3)尺寸相同；
4.根据权利要求1所述的一种红外焦平面芯片的背减薄工艺，其特征在于：研磨溶液中三氧化二铝溶液的质量浓度为20～25％，过氧化氢溶液的质量浓度为40～50％。
5.根据权利要求1所述的一种红外焦平面芯片的背减薄工艺，其特征在于：研磨溶液的流量为10～12ml/min，研磨压力为190～210g/cm2。
6.根据权利要求1所述的一种红外焦平面芯片的背减薄工艺，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：方正君，
申请(专利权)人：安徽昱升光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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