【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及电子器件，特别涉及一种半导体器件、制备方法、存储器及系统。
技术介绍
1、在3d nand超薄芯片的封装工艺中，为了尽量减少封装中磨划工艺对芯片强度的影响，通常采用隐形切割后研磨(sdbg，stealth dicing before grinding)工艺，通过隐形切割使芯片按照指定方向裂开，再进行背面研磨，磨去晶圆背面的纯硅，使芯片达到指定厚度。该工艺可以避免刀片切割对芯片强度带来的机械损伤。但是，随着3d nand芯片内存储阵列层数的成倍增加，增厚的金属层使得隐形切割时芯片无法按照指定方向裂开，进而导致芯片产生不必要的裂痕而造成损失。因此，工作人员通过增加隐形切割时的功率强度或者切割次数，来实现将变厚的芯片分离的目的，但是这也增加了激光散射的风险同时降低了产量。而如果在sdbg前加入激光开槽工艺，由于金属层在晶圆里的分布散乱，需要整片晶圆同时进行多处激光开槽。虽然该方案解决了sdbg裂痕位置的问题，但是也降低了芯片的强度，同时在激光照射时也会产生更多的碎屑。
技术实现思路
...【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括第二器件，所述第一器件包括第一密封环，所述第二器件包括第二密封环，所述切割道位于所述第一密封环和所述第二密封环之间。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述金属结构包括相对设置的第一侧边缘和第二侧边缘，所述第一侧边缘相对所述第二侧边缘靠近所述第一密封环，所述第二侧边缘相对所述第一侧边缘靠近所述第二密封环；所述隐形裂解道预设于所述第一侧边缘与所述第一密封环之间。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一器件包括焊...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括第二器件，所述第一器件包括第一密封环，所述第二器件包括第二密封环，所述切割道位于所述第一密封环和所述第二密封环之间。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述金属结构包括相对设置的第一侧边缘和第二侧边缘，所述第一侧边缘相对所述第二侧边缘靠近所述第一密封环，所述第二侧边缘相对所述第一侧边缘靠近所述第二密封环；所述隐形裂解道预设于所述第一侧边缘与所述第一密封环之间。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一器件包括焊盘，所述焊盘设于所述第一密封环远离所述切割道的一侧。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二侧边缘与所述第二密封环至少保持一个单位长度的距离，所述隐形裂解道与所述第一密封环之间至少保持两个所述单位长度的距离，所述第一侧边缘与所述第一密封环至少保持三个所述单位长度的距离。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，一个所述单位长度为5μm。
7.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一侧边缘与所述第一密封环之间具有第一距离b，所述第二侧边缘与所述第二密封环之间具有第二距离c，所述第一距离b大于所述第二距离c。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第一距离b和所述第二距离c满足：1＜b/c≤4。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述隐形裂解道与所述第一密封环之间具有第三距离a，其中，所述第一距离b和所述第三距离a满足：1≤b/a≤3。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述隐形裂解道与所述第一密封环之间具有第三距离a，且所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：莫平，曾心如，陈鹏，冯鑫，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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