光电传送或接收装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术关于一种光电传送或接收装置及其制造方法，包括一基板、一第一导电层、一第二导电层以及一光电转换芯片。其中，基板具有一上表面及一凹槽，并由一复合材料所制成。凹槽是由一底面及一由底面向上延伸至上表面的内侧壁所界定。第一导电层及第二导电层利用激光活化基板的复合材料而形成。第一导电层设置在凹槽的底面，并沿凹槽的内侧壁及基板的上表面向外延伸。第二导电层与第一导电层电性绝缘，并沿基板的上表面向外延伸。光电转换芯片设置于凹槽的底面上并分别与该凹槽的该底面上的该第一导电层及该第二导电层电性连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种，特别是一种小发光散射角度 的。
技术介绍
随着科技的日新月异，对于生活上的照明装置人们也有着越来越多的选择，从传 统的钨丝灯泡到日光灯，照明装置不断地推陈出新。近年来光电转换芯片，因其具有耗电量 低、元件寿命长、无须暖灯时间、反应速度快及体积小的优点，因而其应用愈来愈广泛。一般习知光电转换芯片设置在传统印刷电路板上，并加以电路连结，以构成一光 电传送或接收装置。然而，因光电转换芯片的特性，其所发出的光线通常具有较大的发光散 射角度。当应用于需要集中所发出的光线以照射在特定目标时，便需要使用一碗形结构，以 集中光束。囿于一般印刷电路板的厚度有限，若非昂贵的特殊厚度印刷电路板，通常均需要 另外设置一反射罩于电路板上及光电转换芯片的周围。然而，此举亦大幅增加制程上的复 杂度以及制造成本。如图1所示，为解决上述问题，习知的光电传送或接收装置1利用射出成形方式， 同时射出导电及不导电的塑料，以形成二导电塑料部分11及夹置于其中的一非导电塑料 部分12。尔后，利用金属镀膜制程仅会将金属层镀于会导电物体的特性，习知技术将二导电 层14仅镀膜于上述二导电塑料部分11之上。光电转换芯片15则设置于光电传送或接收 装置1的一凹槽111的一底部上，并电性连接导电层14的其中之一。最后，利用一导线16 电性连结光电转换芯片15至导电层14其中之另一。通过镀有金属层(导电层14)的高深 度凹槽111，习知光电传送或接收装置1适可集中光电转换芯片15所发出的光线，达到小发 光散射角的目的。在此需特别说明者，图1所示的光电传送或接收装置1经大量制造，同时射出成形 一条的导电及不导电的塑料，经上述各项制程后，最后将多个相连呈一条状的光电传送或 接收装置1半成品裁切而得上述光电传送或接收装置1，因此二导电塑料部分11仅于图1 中绘示有材质线的部分上，形成有导电层14，而未绘制有材质线的部分，则为裁切面，未形 成有导电层14。因此，若习知光电传送或接收装置1直立安装(即整体垂直于安装平面安 装)，将使光电传送或接收装置1必须以裁切面接触安装面。然而，焊锡或其它作为电路连 接的金属材料仅可与金属材质的导电层14相结合，造成焊锡或其它作为电路连接的金属 材料无法紧抓裁切面，而仅能附着于二侧的导电层14上，使直立安装的光电传送或接收装 置1无法稳固地仅以焊锡电性连结或固定，而必须再以其它方式作进一步固定。上述习知光电传送或接收装置1，其以射出成形制程，同时射出导电及不导电的塑 料，以形成二导电塑料部分11及夹置于其中的非导电塑料部分12，以致其难以精确控制导 电塑料部分11及非导 电塑料部分12的形状。因此，上述光电传送或接收装置1难以更进 一步缩小尺寸。有鉴于此，提供一种光电传送或接收装置，具有体积小、可靠度高并且发光 散射角度小的特性，乃为此业界所亟待努力的目标。
技术实现思路
本专利技术的一目的是提供一种，使该光电传送或 接收装置的发光散射角度小、可进一步减小尺寸并提高可靠度。为达上述目的，本专利技术第一实施例的光电传送及接收装置包含一基板、一第一导 电层一第二导电层及一光电转换芯片。该基板具有一上表面及一凹槽，该凹槽是由一底面 及一由该底面向上延伸至该上表面的内侧壁所界定。在此需注意者，该基板由一复合材料 所构成，该复合材料通过激光活化而适可在该复合材料表面形成一导体层。该第一导电层 利用激光活化该基板的该复合材料而形成。该第一导电层 设置在该凹槽的该底面的一第一 部分，并沿该凹槽的该内侧壁及该基板的该上表面向外延伸。该第二导电层亦利用激光活 化该基板的该复合材料而形成，并与该第一导电层电性绝缘。该第二导电层设置在该凹槽 的该底面的一第二部分，并沿该凹槽的该内侧壁及该基板的该上表面向外延伸。该光电转 换芯片设置于该凹槽的该底面上并分别与该凹槽的该底面上的该第一导电层及该第二导 电层电性连接。本专利技术第一实施例的用于制造上述光电传送及接收装置的制造方法包含以下步 骤(a)提供该基板，具有该上表面及该凹槽，该凹槽是由该底面及由该底面向上延伸至该 上表面的该内侧壁所界定，其中该基板由复合材料所构成，该复合材料通过激光活化而适 可在该复合材料表面形成导体层；(b)对该凹槽的该底面的该第一部分、部分该内侧壁及 该基板的部分该上表面实施激光照射，而形成该第一导电层；(c)对该凹槽的该底面的该 第二部分、部分该内侧壁及该基板的部分该上表面实施激光照射，而形成该第二导电层，其 中该第二导电层与该第一导电层电性绝缘；以及(d)将该光电转换芯片设置在该凹槽的该 底面上，并分别与该底面上的该第一导电层及该第二导电层电性连接。为达上述目的，本专利技术第二实施例的光电传送或接收装置包含一基板、一第一导 电层、一第二导电层及一光电转换芯片。该基板具有一上表面及一凹槽，该凹槽是由一底面 及一由该底面向上延伸至该上表面的内侧壁所界定。在此需注意者，该基板由一复合材料 所制成，该复合材料通过激光活化而适可在该复合材料表面形成一导体层。该第一导电层 利用激光活化该基板的该复合材料而形成。该第一导电层设置在该凹槽的该底面，并沿该 凹槽的该内侧壁及该基板的该上表面向外延伸。该第二导电层亦利用激光活化该基板的该 复合材料而形成，并与该第一导电层电性绝缘。该第二导电层设置在凹槽的该底面外，并沿 该基板的该上表面向外延伸。该光电转换芯片设置于该凹槽的该底面上并分别与该第一导 电层及该第二导电层电性连接。本专利技术第二实施例的用于制造上述光电传送或接收装置的制造方法包含以下步 骤(a)形成该基板，具有该上表面及该凹槽，该凹槽是由该底面及由该底面向上延伸至该 上表面的该内侧壁所界定；(b)对该基板实施激光照射，而形成该第一导电层，其中该第一 导电层形成于该凹槽的该底面，并沿该凹槽的该内侧壁及该基板的该上表面向外延伸；(C) 对该基板实施激光照射，而形成该第二导电层，其中该第二导电层形成于该凹槽的该底面 夕卜，并沿该基板的该上表面向外延伸且与该第一导电层电性绝缘；(d)将该光电转换芯片 设置在该凹槽的该底面上，并分别与该第一导电层及该第二导电层电性连接。为让本专利技术的上述目的、技术特征和优点能更明显易懂，下文以较佳实施例配合附图进行详细说明。 附图说明图1为习知光电传送或接收装置；图2为本专利技术的第一实施例的光电传送或接收装置的立体图；图3A为本专利技术的第一实施例的光电传送或接收装置的前视图； 图3B为本专利技术的第一实施例的光电传送或接收装置的右视图；图3C为本专利技术的第一实施例的光电传送或接收装置的后视图；图3D为本专利技术的第一实施例的光电传送或接收装置的下视图；图4为本专利技术的第一实施例的光电传送或接收装置于大量制造时的模板示意图；图5为本专利技术的第二实施例的光电传送或接收装置的立体图；以及图6为本专利技术的第二实施例的光电传送或接收装置于大量制造时的模板示意图。主要元件符号说明1光电传送或接收装置11导电塑料部分111凹槽12非导电塑料部分14导电层15光电转换芯片16 导线17 沟槽2光电传送或接收装置21基板210 上表面211 凹槽211a 底面211b 内侧壁212焊接点213侧面214 下表面22 激光处理区23 非导电区241 第一导电层242第二导电层25光电转换芯片26导线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电传送或接收装置，包含：一基板，具有一上表面及一凹槽，该凹槽是由一底面及一由该底面向上延伸至该上表面的内侧壁所界定，其中该基板由一复合材料所构成，该复合材料通过激光活化而适可在该复合材料表面形成一导体层；一第一导电层，设置在该凹槽的该底面的一第一部分，并沿该凹槽的该内侧壁及该基板的该上表面向外延伸，其中该第一导电层利用激光活化该基板的该复合材料而形成；一第二导电层，与该第一导电层电性绝缘，该第二导电层设置在该凹槽的该底面的一第二部分，并沿该凹槽的该内侧壁及该基板的该上表面向外延伸，其中该第二导电层利用激光活化该基板的该复合材料而形成；以及一光电转换芯片，设置于该凹槽的该底面上并分别与该凹槽的该底面上的该第一导电层及该第二导电层电性连接。

【技术特征摘要】
一种光电传送或接收装置，包含一基板，具有一上表面及一凹槽，该凹槽是由一底面及一由该底面向上延伸至该上表面的内侧壁所界定，其中该基板由一复合材料所构成，该复合材料通过激光活化而适可在该复合材料表面形成一导体层；一第一导电层，设置在该凹槽的该底面的一第一部分，并沿该凹槽的该内侧壁及该基板的该上表面向外延伸，其中该第一导电层利用激光活化该基板的该复合材料而形成；一第二导电层，与该第一导电层电性绝缘，该第二导电层设置在该凹槽的该底面的一第二部分，并沿该凹槽的该内侧壁及该基板的该上表面向外延伸，其中该第二导电层利用激光活化该基板的该复合材料而形成；以及一光电转换芯片，设置于该凹槽的该底面上并分别与该凹槽的该底面上的该第一导电层及该第二导电层电性连接。2.如权利要求1所述的光电传送或接收装置，其特征在于，该复合材料包括一模制互 连元件激光导引结构所应用的复合材料。3.如权利要求1所述的光电传送或接收装置，其特征在于，在该凹槽的该底面上的该 第一导电层为一固晶区，在该凹槽的该底面上的该第二导电层为一打线区，该光电转换芯 片设置在该固晶区并与该固晶区电性连接，而该光电转换芯片与该打线区通过一导线电性 连接。4.如权利要求3所述的光电传送或接收装置，其特征在于，更包括一封胶，设置于该凹 槽内，并包覆该光电转换芯片及该导线。5.如权利要求1所述的光电传送或接收装置，其特征在于，该光电转换芯片为一发光 二极管芯片或一光感芯片。6.如权利要求1所述的光电传送或接收装置，其特征在于，该第一导电层更包含一镀 铜层。7.如权利要求6所述的光电传送或接收装置，其特征在于，该第一导电层更包含一镀 镍层，形成于该镀铜层上。8.如权利要求7所述的光电传送或接收装置，其特征在于，该第一导电层更包含一镀 金层，形成于该镀镍层上。9.如权利要求1所述的光电传送或接收装置，其特征在于，该第二导电层更包含一镀 铜层。10.如权利要求9所述的光电传送或接收装置，其特征在于，该第二导电层更包含一镀 镍层，形成于该镀铜层上。11.如权利要求10所述的光电传送或接收装置，其特征在于，该第二导电层更包含一 镀金层，形成于该镀镍层上。12.如权利要求1所述的光电传送或接收装置，其特征在于，更包括一焊接点，该焊接 点设置在该基板的一侧面上，该侧面与该基板的该上表面相连接，该焊接点自该第一导电 层或该第二导电层延伸。13.一种光电传送或接收装置的制造方法，包含下列步骤(a)提供一基板，具有一上表面及一凹槽，该凹槽是由一底面及一由该底面向上延伸至 该上表面的内侧壁所界定，其中该基板由一复合材料所构成，该复合材料通过激光活化而适可在该复合材料表面形成一导体层；(b)对该凹槽的该底面的一第一部分、部分该内侧壁及该基板的部分该上表面实施激 光照射，而形成一第一导电层；(c)对该凹槽的该底面的一第二部分、部分该内侧壁及该基板的部分该上表面实施激 光照射，而形成一第二导电层，其中该第二导电层与该第一导电层电性绝缘；(d)将一光电转换芯片设置在该凹槽的该底面上，并分别与该凹槽的该底面上的该第 一导电层及该第二导电层电性连接。14.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，该复合材料包含一模制互连元件激 光导引结构所应用的复合材料。15.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，步骤 (bl)化镀一镀铜层。16.如权利要求15所述的制造方法，其特征在于，步骤 (b2)电镀一镀镍层于该镀铜层上。17.如权利要求16所述的制造方法，其特征在于，步骤 (b3)电镀一镀金层于该镀镍层上。18.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，步骤 (cl)化镀一镀铜层。19.如权利要求18所述的制造方法，其特征在于，步骤 (c2)电镀一镀镍层于该镀铜层上。20.如权利要求19所述的制造方法，其特征在于，步骤 (c3)电镀一镀金层于该镀镍层上。21.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，该凹槽的该底面上的该第一导电层 为一固晶区，在该凹槽的该底面上的该第二导电层为一打线区，且于步骤(d)中，该光电转 换芯片设置在该固晶区并与该固晶区电性连接，而该光电转换芯片与该打线区通过一导线 电性连接。22.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，该光电转换芯片为一发光二极管芯 片或一光感芯片。23.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，于步骤(d)后更包含下述步骤(e)施加一封胶，以包覆该光电转换芯片及该导线。24.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，该第一导电层或该第二导电层更延 伸形成一焊接点，并且该焊接点设置在该基板的一侧面上，该侧面与该基板的该上表面相 连接。25.一种光电传送或接收装置，包含一基板，具有一上表面及一凹槽，该凹槽是由一底面及一由该底面向上延伸至该上表 面的内侧壁所界定，其中该基板由一复合材料所制成，该复合材料通过激光活化而适可在 该复合材料表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖律名，
申请(专利权)人：亿光电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]