线路板工艺制造技术

一种线路板工艺。首先，提供一线路基材。线路基材具有上表面与第一线路图案，其中第一线路图案位于上表面上。接着，形成具有导电结构的介电层于线路基材上。介电层覆盖上表面与第一线路图案。导电结构嵌入介电层中且电性连接至第一线路图案。形成凹刻图案于介电层的表面上，其中凹刻图案与导电结构相连接。最后，配置导电材料于凹刻图案内，以形成第二线路图案，其中第二线路图案藉由导电结构电性连接至第一线路图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种线路板工艺，且特别是有关于一种具有高密度内连线(High Density Interconnection, HDI)的线路板工艺。
技术介绍
在目前的半导体封装工艺中，由于线路板具有布线细密、组装紧凑及性能良好等 优点，使得线路板已成为经常使用的构装元件之一。线路板能与多个电子元件(electronic component)组装，而这些电子元件例如是芯片(chip)与被动元件(passive component)。 透过线路板，这些电子元件得以彼此电性连接，而讯号才能在这些电子元件的间传递。 —般而言，线路板主要是由多层图案化线路层(patterned circuit layer)及多 层介电层(dielectric layer)交替叠合而成，并藉由导电盲孔(conductivevia)以达成图 案化线路层彼此的间的电性连接。由于近年来电子产品走向小型、轻量、薄型、高速、高机 能、高密度、低成本化，以及电子元件封装技术亦朝向高脚数、精细化与集积化发展，因此线 路板亦走向高密度布线、细线小孔化、复合多层化、薄板化发展。 高密度内连线(HDI)的线路板是指利用导电盲孔搭配线路层与微间距(fine pitch)以达到高度互联的一种技术，使在相同单位面积中能够搭载更多电子元件或是容纳 更多的线路。由于高密度内连线的线路板包含多层线路层，因此各层线路层间良好的电性 连通成为高密度内连线的线路板的关键之一。
技术实现思路
本专利技术提供一种线路板工艺，用以制作一具有高密度内连线的线路板。 本专利技术提出一种线路板工艺。首先，提供一线路基材。线路基材具有一上表面与一第一线路图案，其中第一线路图案位于上表面上。接着，形成一具有一导电结构的介电层于线路基材上。介电层覆盖上表面与第一线路图案。导电结构嵌入介电层中且电性连接至第一线路图案。形成一凹刻图案于介电层的表面上，其中凹刻图案与导电结构相连接。最后，配置导电材料于凹刻图案内，以形成一第二线路图案，其中第二线路图案藉由导电结构电性连接至第一线路图案。 在本专利技术的一实施例中，上述的形成凹刻图案的方法包括激光烧蚀、等离子体蚀 刻或机械加工工艺。 在本专利技术的一实施例中，上述的介电层的材质包括高分子聚合物。 在本专利技术的一实施例中，上述的介电层包括多颗触媒颗粒。 在本专利技术的一实施例中，上述的这些触媒颗粒包括多个纳米金属颗粒。 在本专利技术的一实施例中，上述的这些触媒颗粒的材质包括多个过渡金属配位化合物。 在本专利技术的一实施例中，上述的在介电层的表面上形成凹刻图案的同时，还包括 活化部分的这些触媒颗粒，以形成一活化层于凹刻图案的内面。 在本专利技术的一实施例中，上述的形成第二线路图案于凹刻图案内的方法包括化学 沉积法。 在本专利技术的一实施例中，上述的形成具有导电结构的介电层的步骤，首先，形成一 铜箔层于介电层的表面上。接着，对形成有铜箔层的介电层照射一激光，以形成至少一从铜 箔层延伸至第一线路图案的盲孔结构。形成一电镀种子层于盲孔结构内与铜箔层的表面。 透过电镀种子层而电镀形成一导电层。最后，移除部分导电层、部分电镀种子层及铜箔层， 以形成导电结构并暴露出介电层的表面。 在本专利技术的一实施例中，上述的移除部分导电层、部分电镀种子层及铜箔层的方 法包括蚀刻或研磨。 在本专利技术的一实施例中，上述的形成具有导电结构的介电层的步骤，首先，形成一 铜箔层于介电层的表面上。接着，对形成有铜箔层的介电层照射一激光，以形成至少一从铜 箔层延伸至第一线路图案的盲孔结构。填入导电材料于盲孔结构中，以形成导电结构。最 后，移除铜箔层，以暴露出介电层的表面。 在本专利技术的一实施例中，上述的导电材料包括金属导电膏或高分子导电材料。 在本专利技术的一实施例中，上述的形成具有导电结构的介电层的步骤，首先，形成一 导电锥于第一线路图案上，接着，压合介电层于线路基材上，其中导电锥贯穿介电层，以构 成导电结构。 在本专利技术的一实施例中，上述的形成导电锥的方法包括印刷或打线。 综上所述，本专利技术先于介电层形成连接线路基材的第一线路图案的导电结构，然后，以激光于介电层的表面形成可埋入第二线路图案的凹刻图案，其中第二线路图案藉由导电结构电性连接至第一线路图案，而完成具有高密度内连线的线路板。因此，本专利技术的线路板工艺，可以避免受限分别于凹刻图案内与盲孔结构中同时形成第二线路图案与导电结构时的填孔能力的限制与工艺时间长等问题，可有效縮短线路板的生产流程，进而扩充了具有高密度内连线的线路板的应用范围。 为让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配 合所附图式作详细说明如下。附图说明 图1A至图II绘示本专利技术的一实施例的一种线路板工艺； 图2A至图2H绘示本专利技术的另一实施例的一种线路板工艺； 图3A至图3E绘示本专利技术的另一实施例的一种线路板工艺。 主要元件符号说明 100 、200 、300 :线路板 110、210、310 :线路基材 112、212、312 :上表面 114、214、314 :第一线路图案 120、220、320 :介电层 122、222、322 :触媒颗粒 124、 224、 324 :活化层126、226、326 :凹刻图案130、230、330 :导电结构140、240 :铜箔层150 :电镀种子层160 :导电层170、260、340 :第二线路图案250 :导电材料330':导电锥B1、B2 :盲孔结构LI :第一激光L2 :第二激光具体实施例方式图1A至图II绘示本专利技术的一实施例的一种线路板工艺。请先参考图IA，依照本 实施例的线路板工艺，首先，提供一线路基材110。线路基材110具有一上表面112与一第 一线路图案114，其中第一线路图案114位于上表面112上，也就是说，第一线路图案114可 算是一种一般线路(即非内埋式线路)。 值得一提的是，线路基材110的结构可以仅具有单一线路层，或是具有多层线路 层。也就是说，线路基材110可以是单层线路基材(single layer circuitsubstrate)、双 层线路基材(double layer circuit substrate)或多层线路基材(multi-layer circuit substrate)。在本实施例中，图1A的线路基材110是以多个介电层(未绘示)以及多个图 案化线路层(未绘示)交互堆叠所形成的多层线路基材来进行说明。 请参考图1B，接着，形成一介电层120于线路基材IIO上，其中介电层120覆盖线 路基材110的上表面112与第一线图案114。详细而言，在本实施例中，介电层120包括多 颗触媒颗粒122，而这些触媒颗粒122包括多个纳米金属颗粒。这些触媒颗粒122的材质包 括过渡金属配位化合物，其中过渡金属配位化合物的材质可以包括过渡金属氧化物、过渡 金属氮化物、过渡金属错合物或过渡金属螯合物，且这些过渡金属配位化合物的材质为选 自于由锌、铜、银、金、镍、钯、钼、钴、铑、铱、铁、锰、铬、钼、鸨、钒、钽以及钛所组成的群组中 的一种材质。 进一步而言，这些触媒颗粒122例如是多个金属氧化物颗粒、多个金属氮化物颗 粒、多个金属错合物颗粒、多个金属螯合物颗粒或多个金属颗粒，且这些触媒颗粒122的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种线路板工艺，包括：提供线路基材，该线路基材具有上表面与第一线路图案，其中该第一线路图案位于该上表面上；形成具有导电结构的介电层于该线路基材上，该介电层覆盖该上表面与该第一线路图案，该导电结构嵌入该介电层中且电性连接至该第一线路图案；形成凹刻图案于该介电层的表面上，其中该凹刻图案与该导电结构相连接；以及配置导电材料于该凹刻图案内，以形成第二线路图，其中该第二线路图案藉由该导电结构电性连接至该第一线路图案。

【技术特征摘要】
一种线路板工艺，包括提供线路基材，该线路基材具有上表面与第一线路图案，其中该第一线路图案位于该上表面上；形成具有导电结构的介电层于该线路基材上，该介电层覆盖该上表面与该第一线路图案，该导电结构嵌入该介电层中且电性连接至该第一线路图案；形成凹刻图案于该介电层的表面上，其中该凹刻图案与该导电结构相连接；以及配置导电材料于该凹刻图案内，以形成第二线路图，其中该第二线路图案藉由该导电结构电性连接至该第一线路图案。2. 如权利要求1所述的线路板工艺，其中形成该凹刻图案的方法包括激光烧蚀、等离 子体蚀刻或机械加工工艺。3. 如权利要求1所述的线路板工艺，其中该介电层的材质包括高分子聚合物。4. 如权利要求1所述的线路板工艺，其中该介电层包括多颗触媒颗粒。5. 如权利要求4所述的线路板工艺，其中该些触媒颗粒包括多个纳米金属颗粒。6. 如权利要求4所述的线路板工艺，其中该些触媒颗粒的材质包括多个过渡金属配位 化合物。7. 如权利要求4所述的线路板工艺，其中在该介电层的表面上形成该凹刻图案的同 时，还包括活化部分的该些触媒颗粒，以形成活化层于该凹刻图案的内面。8. 如权利要求7所述的线路板工艺，其中形成该第二线路图案于该凹刻图案内的方法 包括化学沉积法。9. 如权利要求1所述的线路板工艺，其中形...

【专利技术属性】
技术研发人员：余丞博，
申请(专利权)人：欣兴电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]