半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

抑制半导体装置的制造成本和器件特性的劣化。实施方式的半导体装置的制造方法包括如下工序：在第一半导体基板的上方形成激光剥离膜；在形成激光剥离膜时形成热扩散层，该热扩散层在激光剥离膜的内部分布于与第一半导体基板的表面平行的面内，且包含导热率比激光剥离膜高的部件；在激光剥离膜的上方形成包含半导体电路的电路层；在形成电路层后，将第一半导体基板与第二半导体基板贴合；在将第一半导体基板与第二半导体基板贴合之后，对第一半导体基板的背面照射激光；以及在对第一半导体基板的背面照射激光之后，以在第二半导体基板侧残留电路层的方式剥离第一半导体基板。

【技术实现步骤摘要】

实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、已知有将半导体电路基板三维层叠的三维层叠技术。

2、[现有技术文献]

3、[专利文献]

4、专利文献1：日本特开2018-142654号公报

5、专利文献2：日本特开2022-041054号公报

技术实现思路

1、抑制半导体装置的制造成本和器件特性的劣化。

2、实施方式的半导体装置的制造方法包括如下工序：在第一半导体基板的上方形成激光剥离膜；在形成激光剥离膜时形成热扩散层，该热扩散层在激光剥离膜的内部分布于与第一半导体基板的表面平行的面内，且包含导热率比激光剥离膜高的部件；在激光剥离膜的上方形成包含半导体电路的电路层；在形成电路层后，将第一半导体基板与第二半导体基板贴合；在将第一半导体基板与第二半导体基板贴合之后，对第一半导体基板的背面照射激光；以及在对第一半导体基板的背面照射激光之后，以在第二半导体基板侧残留电路层的方式剥离第一半导体基板。

【技术保护点】

1.一种半导体装置的制造方法，具备如下工序：

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，

5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，还具备如下工序：

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，

8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，

9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置的制造方法，具备如下工序：

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，

5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，还具备如下工序：

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，

8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，

9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

10.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：野田光彦，柏田沙织，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：