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抑制半导体装置的制造成本和器件特性的劣化。实施方式的半导体装置的制造方法包括如下工序：在第一半导体基板的上方形成激光剥离膜；在形成激光剥离膜时形成热扩散层，该热扩散层在激光剥离膜的内部分布于与第一半导体基板的表面平行的面内，且包含导热率比激...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

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