发光元件结构及其制造方法技术

本发明专利技术揭示一具有应力平衡层的光电元件结构及其制造方法。此光电元件结构包含高导热基板，应力平衡层位于高导热基板之上，金属反射层位于应力平衡层之上，及外延结构位于金属反射层之上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术揭露具有应力平衡层的光电元件结构及其制造方法，特别是关于一种高导热发光二极管结构及其制造方法。
技术介绍
习知承载蓝光发光二极管的氧化铝(sapphire)基板属于低热传导性材料(热传 导系数约为40W/mK)，在较高电流状况下操作时，无法有效地传递热量，造成热量累积而影 响发光二极管的可靠度。 目前市面出现将整片高热传导性金属铜基板(热传导系数约为400W/mK)以电镀 或粘贴方式与发光二极管连接，可有效地传递热量。然而在移除成长基板后，内应力压縮整 片金属铜基板，造成芯片(wafer)翘曲而影响后续工艺成品率。
技术实现思路
本专利技术提供一种光电元件结构，其中的基板为高导热基板，可由铜、铝、钼、硅、锗、 金属基复合材料、铜合金、铝合金或钼合金组成。 本专利技术提供一种光电元件结构，其中的基板为高导热基板，可由无电镀、电镀、或 电铸方式形成。 本专利技术提供成。 组成。 形成。 种光电元件结构，其中的应力平衡层可由单层材料或多层材料所组 本专利技术提供一种光电元件结构，其中的应力平衡层可由镍、钨、钼、钴、钼、金、或铜 本专利技术提供一种光电元件结构，其中的应力平衡层可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一光电元件，其制造方法包含：提供成长基板，其具有第一平面及第二平面；形成外延结构于该成长基板的第一平面上，其至少具有ｎ型半导体层、发光层及ｐ型半导体层；形成金属反射层于该外延结构之上；以电化学沉积法或无电化学沉积法形成应力平衡层于该金属反射层与该外延结构相对的一侧；以电化学沉积法或无电化学沉积法形成高导热基板于该应力平衡层与该外延结构相对的一侧，其中该应力平衡层可降低该高导热基板与该外延结构之间的内应力，且该高导热基板与该外延结构的热膨胀系数相差不小于５ｐｐｍ／℃；移除该成长基板，以暴露该外延结构的一表面；形成电极于该外延结构暴露的该表面上，其中该电极与该外延结构形成电连结；由上至下自该外延结...

【技术特征摘要】
一光电元件，其制造方法包含提供成长基板，其具有第一平面及第二平面；形成外延结构于该成长基板的第一平面上，其至少具有n型半导体层、发光层及p型半导体层；形成金属反射层于该外延结构之上；以电化学沉积法或无电化学沉积法形成应力平衡层于该金属反射层与该外延结构相对的一侧；以电化学沉积法或无电化学沉积法形成高导热基板于该应力平衡层与该外延结构相对的一侧，其中该应力平衡层可降低该高导热基板与该外延结构之间的内应力，且该高导热基板与该外延结构的热膨胀系数相差不小于5ppm/℃；移除该成长基板，以暴露该外延结构的一表面；形成电极于该外延结构暴露的该表面上，其中该电极与该外延结构形成电连结；由上至下自该外延结构蚀刻至该高导热基板，以形成多道切割道；以及沿着该切割道切割以形成该光电元件。2. 如权利要求1所述的光电元件制造方法，其中形成该应力平衡层与该高导热基板的 电化学沉积法可为电镀或电铸。3. 如权利要求1所述的光电元件制造方法，其中形成该应力平衡层与该高导热基板的 无电化学沉积法可为无电镀。4. 如权利要求1所述的光电元件制造方法，其中形成该多道切割道的方法还包括黄光 或显影工艺。5. —光电元件，其制造方法包含 提供成长基板，其具有第一平面及第二平面；形成外延结构于该成长基板的第一平面上，其至少具有n型半导体层、发光层及p型半 导体层；形成金属反射层于该外延结构之上；以电化学沉积法或无电化学沉积法形成应力平衡层于该金属反射层与该外延结构相 对的一侧；利用蚀刻工艺使该应力平衡层形成具周期性图案的结构，其中该具周期性图案结构的 应力平衡层的每一图案结构宽度不小于0. 01倍该光电元件的宽度，且不大于1倍该光电元件的宽度；以电化学沉积法或无电化学沉积法形成高导热基板于该具周期性图案结构的应力平 衡层与该外延结构相对的一侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄建富，许嘉良，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]