芯片封装结构及芯片封装卷带制造技术

本发明专利技术提供一种芯片封装结构及芯片封装卷带，该芯片封装卷带具有一第一金属散热层，形成于一防焊层上；由此，可为后续将置放于该芯片封装卷带上的一芯片提供一导热途径，以改善芯片运作时的散热效率。该芯片封装结构具有一第一金属散热层以及一导热总成；由此，芯片运作时所产生的热能，可经由导热总成及第一金属散热层传导散逸，以改善芯片运作时的散热效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种具高散热效率的芯片封装结构；特别是一种具有导热结 构以改善散热效率的芯片封装结构。
技术介绍
半导体芯片经制成后，需要与导电结构共同形成一芯片封装结构，方能发 挥电路功能。而芯片与导电结构的连结，可利用例如打线(wiring)、凸块接 合、引脚(leadframe)接合等方式来达成。芯片运作时，会因执行电路功能所 必须的状态切换以及工作点偏压而产生热能，这些热能必须以适当方式将其散 逸，否则将导致芯片产生不可回复性损坏，以下将举例详述散热不良所导致的 问题。以现有的薄膜覆晶封装(ChiponFilm， COF)为例，其并无散热设计，仅 依靠芯片与大气接触作为自然散热途径。然而，随着半导体技术的进步，先进 工艺可生产尺寸更小与功能越复杂芯片，因此薄膜覆晶封装的引脚间距 (PITCH)必须相对减小。相对而言，每引脚所必须承受的因芯片运作产生的 热能即增加。经过长期使用后，热能对引脚累积的影响将破坏芯片的正常运作。 典型的损坏即为引脚较容易产生电子迁移现象(electromigration)。在电流密度很高的导体上，例如引脚，电子的流动会带给其上的金属原子 动量(mo本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片封装结构，其特征在于，包含：　一可挠性基板，具有一上表面与一下表面，所述上表面界定有一芯片承载区及一非芯片承载区；　一导线层，形成于所述可挠性基板的所述上表面，至少局部从所述芯片承载区向所述非芯片承载区延伸；　一防 焊层，界定一开口以暴露所述芯片承载区，并且覆盖部分所述导线层；　一芯片，设于所述可挠性基板的芯片承载区的一上方，并与所述导线层电性连接；　一第一金属散热层，形成于所述防焊层上，并设于所述可挠性基板的非芯片承载区的至少一部分上方； 以及　一导热总成，覆盖至少部份所述芯片的一上方及部分所述第一金属散热层的一上方。

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包含一可挠性基板，具有一上表面与一下表面，所述上表面界定有一芯片承载区及一非芯片承载区；一导线层，形成于所述可挠性基板的所述上表面，至少局部从所述芯片承载区向所述非芯片承载区延伸；一防焊层，界定一开口以暴露所述芯片承载区，并且覆盖部分所述导线层；一芯片，设于所述可挠性基板的芯片承载区的一上方，并与所述导线层电性连接；一第一金属散热层，形成于所述防焊层上，并设于所述可挠性基板的非芯片承载区的至少一部分上方；以及一导热总成，覆盖至少部份所述芯片的一上方及部分所述第一金属散热层的一上方。2. 如权利要求l所述的芯片封装结构，其特征在于，还包含一胶体，设于 所述可挠性基板、芯片形成的一空间中。3. 如权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述导热总成是完全 覆盖所述芯片及所述胶体的上方。4. 如权利要求l所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一金属散热层 的材料是选自下列群组铝、铜及其合金。5. 如权利要求l所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一金属散热层 包含一金属粒子层以及一粘着层，所述金属粒子层适可借助所述粘着层粘附于 所述防焊层上。6. 如权利要求l所述的芯片封装结构，其特征在于，所述导热总成是由一 热塑性树脂所制成。7. 如权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述导热总成还包含 金属粒子。8. 如权利要求l所述的芯片封装结构，其特征在于，还包含一第二金属散 热层，形成于所述可挠性基板的非芯片承载区的所述下表面至少一部份下方。9. 如权利要求8所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘光华，赖奎佑，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，百慕达南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]