【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体太阳能薄膜电池加工领域，特别涉及一种降低硅基薄膜电池串联电阻的加工工艺。
技术介绍
硅基薄膜太阳能电池在生产过程中需要严格的洁净空间，这样才能保证膜层不受到外界污染。但是，背电极在制备过程前，由于激光划线和工厂环境以及反应室污染会产生一定数量的残渣和灰尘颗粒，造成新裸露出来的TCO膜层不能很好的有背电极接触，从而加大了串联电阻。这样，电池的效率就会大打折扣，导致整个太阳能电池性能低下。 现有的PVD工序镀制背电极时，没有对前道工序进行处理。这样，LASER2划线之后新裸露出来的TCO膜层不仅会受到空气中的残渣和灰尘颗粒影响，还会被空气中的水气以及其它气体污染。当PVD镀制AZ0(GZ0)/Ag背电极时，这样AZ0膜层就与受到污染的TCO接触，形成了较大的串联电阻。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种降低硅基薄膜电池串联电阻的加工工艺。 本专利技术在现有PVD工序前，对激光划线后的TCO薄膜进行清洗工序或者等离子轰击工序或者先后执行上述两种工序。 所述对TCO薄膜进行清洗可以是纯水清洗或清洗液清洗或酸性液体清洗或纯水加毛刷清洗或清洗液加毛刷清洗或其中几种方法的结合。 通过对TCO薄膜的清洗可以减小激光划线之后新裸露出来的TCO膜层受到空气中的残渣和灰尘颗粒影响，还会减少空气中的水气以及其它气体的污染。 所述对TCO薄膜进行等离子轰击是指在镀制背电极(如沉积AZ0/Ag)之前，使用PVD设备里加入的离子轰击装置，对TCO薄膜进行离子轰击。 通过离子轰击工序，可以在TCO薄膜表面产生绒面，增加TCO与后续金属层的接触面积，...
【技术保护点】
一种降低硅基薄膜电池串联电阻的工艺，其特征在于，在ＰＶＤ工序前，对激光划线后的ＴＣＯ薄膜进行清洗工序或者等离子轰击工序或者先后执行上述两种工序。
【技术特征摘要】
一种降低硅基薄膜电池串联电阻的工艺，其特征在于，在PVD工序前，对激光划线后的TCO薄膜进行清洗工序或者等离子轰击工序或者先后执行上述两种工序。2. 如权利要求1所述的一种降低硅基薄膜电池串联电阻的工艺，其特征在于，所述对 TCO薄膜进行清洗可以是纯水清洗或清洗液...
【专利技术属性】
技术研发人员：李宝胜，罗小平，张发荣，
申请(专利权)人：新奥光伏能源有限公司，
类型：发明
国别省市：13[中国|河北]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。