一种等径启动控制方法、装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸

技术编号:42505979 阅读:21 留言:0更新日期:2024-08-22 14:20
本发明专利技术实施例提供了一种等径启动控制方法、装置、设备及介质。该方法包括:在直拉单晶过程中,获取放肩阶段的当前直径、拉速变化信息和直径变化信息,根据所述拉速变化信息和直径变化信息,以及等径目标直径,确定对应的等径启动直径;在所述当前直径达到所述等径启动直径的情况下,控制等径阶段启动,使得结合拉速变化和直径变化,抓住了放肩阶段直接过度到等径阶段的正确时机,取消了原来的转肩阶段,实现了晶体的横向生长到纵向生长的平稳过度,减低了断线等异常的概率、等径阶段的头部出现不合格品的概率,避免了等径阶段的头部拉速波动幅度较大的问题,继而提高了成品率和拉晶品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及可再生能源,特别是涉及一种等径启动控制方法、一种等径启动控制装置、一种电子设备以及一种存储介质。


技术介绍

1、单晶硅材料的制备工艺以直拉法(czochralski process/cz)为主,利用直拉法将多晶硅原料提炼成单晶硅。传统的直拉方式中,在直拉单晶过程中生成棒状单晶硅晶体的过程分为装料、加热熔料、预调温、调温、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等步骤。

2、生产过程中,将原料放在石英坩埚中,在单晶炉中加热熔化。当多晶硅原料融化完成后,还不能马上开始引晶,因为这时的温度要高于引晶温度,还必须经过降温。预调温是将温度调整到一个合适的温度,将事先装到钢丝绳末端的籽晶(也就是加工成一定形状的单晶)与液面接触,将籽晶浸入液面熔接,然后通过调温将温度调整到引晶的温度。引晶是在引晶温度下,让熔体先在籽晶的末端生长进行缩颈排除位错,硅分子将沿着籽晶的晶格方向生长,从而形成单晶。放肩是在降低加热器功率降低籽晶提拉速度让晶体横向生长,将晶体直径逐步生长到生成所要求的直径,在放肩的过程中将拉出随着长度逐渐变长,直径逐渐变大到要求的直径左右的一段晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种等径启动控制方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述拉速变化信息包括拉速变化量,所述直径变化信息包括直径变化量,所述根据所述拉速变化信息和直径变化信息,以及等径目标直径,确定对应的等径启动直径,包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述拉速变化量、直径变化量、偏差量的对应关系为:

4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述等径目标直径和所述偏差量,确定所述等径启动直径,包括:

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述控制等径阶段启动之前,所述方法还包括:

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【技术特征摘要】

1.一种等径启动控制方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述拉速变化信息包括拉速变化量,所述直径变化信息包括直径变化量,所述根据所述拉速变化信息和直径变化信息,以及等径目标直径,确定对应的等径启动直径,包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述拉速变化量、直径变化量、偏差量的对应关系为:

4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述等径目标直径和所述偏差量,确定所述等径启动直径,包括:

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述控制等径阶段启动之前,所述方法还包括:

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【专利技术属性】
技术研发人员:王正远郭力杨正华李广砥权甲
申请(专利权)人:隆基绿能科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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