【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体制备，特别是涉及一种功率调整方法、一种功率调整装置、一种电子设备以及一种存储介质。
技术介绍
1、单晶硅材料的制备工艺以直拉法(czochralski process/cz)为主，利用直拉法将多晶硅原料提炼成单晶硅。在直拉单晶过程中生成棒状单晶硅晶体的过程分为装料、加热熔料、预调温、调温、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等步骤。
2、生产过程中，将原料放在石英坩埚中，在单晶炉中加热熔化。当多晶硅原料融化完成后，还不能马上开始引晶，因为这时的温度要高于引晶温度，还必须经过降温。预调温是将温度调整到一个合适的温度，将事先装到钢丝绳末端的籽晶(也就是加工成一定形状的单晶)与液面接触，将籽晶浸入液面熔接，然后通过调温将温度调整到引晶的温度。引晶是在引晶温度下，让熔体先在籽晶的末端生长进行缩颈排除位错，硅分子将沿着籽晶的晶格方向生长，从而形成单晶。放肩是在降低加热器功率降低籽晶提拉速度让晶体横向生长，将晶体直径逐步生长到生成所要求的直径，在放肩的过程中将拉出随着长度逐渐变长，直径逐渐变大到要求的直径左右的一段晶体，以便消...
【技术保护点】
1.一种功率调整方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一状态信息包括第一类型的状态信息和第二类型的状态信息，所述确定与所述第一状态信息相匹配的所述直拉单晶设备的历史直拉单晶过程中的第二状态信息，以及对应的历史实际拉速和历史累计功率降低量，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一类型的状态信息包括炉台编码、热量类型、热场尺寸、换热器类型和等径长度中至少一种，所述第二类型的状态信息包括氩气流量、引放时长、引晶功率、液口距、引放降温量、剩料量中至少一种。
4.根据权利要求1所述的方法，...
【技术特征摘要】
1.一种功率调整方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一状态信息包括第一类型的状态信息和第二类型的状态信息，所述确定与所述第一状态信息相匹配的所述直拉单晶设备的历史直拉单晶过程中的第二状态信息，以及对应的历史实际拉速和历史累计功率降低量，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一类型的状态信息包括炉台编码、热量类型、热场尺寸、换热器类型和等径长度中至少一种，所述第二类型的状态信息包括氩气流量、引放时长、引晶功率、液口距、引放降温量、剩料量中至少一种。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二状态信息包括多个，所述根据所述第二状态信息对应的历史实际拉速和历史累计功率降低量，以及所述当前实际拉速和当前累计功率降低量，确定推荐功率，包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：李广砥，王正远，郭力，杨正华，张伟建，周宏坤，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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