【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体制备，特别是涉及一种放肩控制方法、一种放肩控制装置、一种电子设备以及一种存储介质。
技术介绍
1、单晶硅材料的制备工艺以直拉法(czochralski process/cz)为主，利用直拉法将多晶硅原料提炼成单晶硅。在直拉单晶过程中生成棒状单晶硅晶体的过程分为装料、加热熔料、预调温、调温、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等步骤。
2、生产过程中，将原料放在石英坩埚中，在单晶炉中加热熔化。当多晶硅原料融化完成后，还不能马上开始引晶，因为这时的温度要高于引晶温度，还必须经过降温。预调温是将温度调整到一个合适的温度，将事先装到钢丝绳末端的籽晶(也就是加工成一定形状的单晶)与液面接触，将籽晶浸入液面熔接，然后通过调温将温度调整到引晶的温度。引晶是在引晶温度下，让熔体先在籽晶的末端生长进行缩颈排除位错，硅分子将沿着籽晶的晶格方向生长，从而形成单晶。放肩是在降低加热器功率降低籽晶提拉速度让晶体横向生长，将晶体直径逐步生长到生成所要求的直径，在放肩的过程中将拉出随着长度逐渐变长，直径逐渐变大到要求的直径左右的一段晶体，以便消...
【技术保护点】
1.一种放肩控制方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一特征数据包括拟合特征数据，所述在直拉单晶设备的当前直拉单晶过程中，获取放肩阶段之前与放肩相关的第一特征数据，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述拟合特征数据包括以下至少一种：晶体直径波动的标准差、真实引晶功率的平均值、调温阶段的稳温段内液面亮度变化的斜率、调温阶段的稳温段内液面亮度变化的截距、调温阶段的稳温段内液面亮度波动的标准差、引晶阶段的液面亮度变化的斜率、引晶阶段的液面亮度变化的截距、引晶阶段的液面亮度的波动标准差、稳温段至引晶...
【技术特征摘要】
1.一种放肩控制方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一特征数据包括拟合特征数据，所述在直拉单晶设备的当前直拉单晶过程中，获取放肩阶段之前与放肩相关的第一特征数据，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述拟合特征数据包括以下至少一种：晶体直径波动的标准差、真实引晶功率的平均值、调温阶段的稳温段内液面亮度变化的斜率、调温阶段的稳温段内液面亮度变化的截距、调温阶段的稳温段内液面亮度波动的标准差、引晶阶段的液面亮度变化的斜率、引晶阶段的液面亮度变化的截距、引晶阶段的液面亮度的波动标准差、稳温段至引晶结束段内液面亮度变化的斜率、稳温段至引晶结束段内液面亮度变化的截距。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定与所述第一特征数据相匹配的目标特征数据，以及所述目标特征数据对应的历史直拉单晶过程中所采用的历史肩形参数，包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：李广砥，张伟建，郭力，王正远，杨正华，周宏坤，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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