【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶硅生产，具体涉及一种用于提升拉晶速率的导流筒、拉晶炉及拉晶方法。
技术介绍
1、单晶硅是目前半导体和光伏行业大量需求的原材料，由专用设备“单晶硅晶体生长炉”制备生产而来，而提高单晶硅产能及降低单晶硅的生产成本是晶体生产商长期以来想要解决的技术课题，对设备进行改进是提升单晶硅生产效率及控制生产成本的主要手段之一。
2、近年来，国内外晶体生产商在石墨导流筒内又增加一层筒状的钼内胆，钼内胆通过铆钉固定在导流筒内壁上，利用钼内胆相对于石墨导流筒具有更高的导热系数，将晶棒辐射出的热量从钼内胆均匀的传导至石墨导流筒，而石墨导流筒的外壁与水冷板直接连接，以降低石墨导流筒的温度，从而控制晶棒的轴向温度梯度，并且由于钼内胆的表面比较光滑，能够反射从石墨导流筒向钼内胆传输的热量，保证了钼内胆温度的稳定性，从而使得晶棒能够稳定生长，起到了提升拉晶速率的作用。
3、然而上述现有技术中存在以下技术问题：上述方案中是通过水冷板与石墨导流筒直接接触，降低石墨导流筒的温度，再通过石墨导流筒降低钼内胆的温度，水冷板不能直接降低钼...
【技术保护点】
1.一种用于提升拉晶速率的导流筒，其特征在于，包括导流筒本体、内胆及水冷板，所述导流筒本体及内胆的形状均为两端开口的中空倒锥形筒，所述内胆固定安装在所述导流筒本体的内部，所述内胆的上端设有一圈圆环状的固定槽，所述水冷板安装在所述固定槽中。
2.如权利要求1所述的用于提升拉晶速率的导流筒，其特征在于，所述内胆采用耐高温且具有良好导热性能的金属材料制成。
3.如权利要求1所述的用于提升拉晶速率的导流筒，其特征在于，所述导流筒本体采用耐高温且导热性能弱于内胆的材料制成。
4.如权利要求1所述的用于提升拉晶速率的导流筒，其特征在于，所述导流...
【技术特征摘要】
1.一种用于提升拉晶速率的导流筒，其特征在于，包括导流筒本体、内胆及水冷板，所述导流筒本体及内胆的形状均为两端开口的中空倒锥形筒，所述内胆固定安装在所述导流筒本体的内部，所述内胆的上端设有一圈圆环状的固定槽，所述水冷板安装在所述固定槽中。
2.如权利要求1所述的用于提升拉晶速率的导流筒，其特征在于，所述内胆采用耐高温且具有良好导热性能的金属材料制成。
3.如权利要求1所述的用于提升拉晶速率的导流筒，其特征在于，所述导流筒本体采用耐高温且导热性能弱于内胆的材料制成。
4.如权利要求1所述的用于提升拉晶速率的导流筒，其特征在于，所述导流筒本体包括内筒及外筒，所述内筒设置在所述外筒内，所述内筒及外筒间形成圆筒状的保温层。
5.如权利要求4所述的用于提升拉晶速率的导流筒，其特征在于，所述保温层内的填充物为具有良好保温性能的材料。
6.一种拉晶炉，其特征在于，包括如权利要求1-5任一所...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴彦飞，马国忠，吴悦，河野贵之，丁亚国，
申请(专利权)人：宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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