本发明专利技术提供一种单晶硅材料的退火方法，属于半导体材料热处理技术领域，包括以下步骤：S1、从室温以第一预设速率升温至第一温度，对单晶硅材料进行第一步退火处理，以使间隙氧充分转换为热施主；S2、第一步退火处理完成后，以第二预设速率降温至室温；S3、从室温以第三预设速率快速升温至第二温度，对单晶硅材料进行第二步退火处理，以分解热施主团簇；S4、第二步退火处理完成后，以第四预设速率快速冷却至室温。本发明专利技术通过两步退火，先消除晶格应力并抑制间隙氧导致的崩边缺陷，再消除热施主对电阻率的影响，最终提升单晶硅材料打孔加工良率。通过低温应力消除与高温热施主消解协同作用，解决晶格应力导致的崩边问题，同时恢复电阻率真实性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料热处理，具体涉及一种单晶硅材料的退火方法。
技术介绍
1、单晶硅材料在晶体生长及切割过程中，间隙氧易在晶格中形成局部应力集中，导致后续加工（如激光打孔）时出现崩边缺陷，良率通常不足60%。传统退火方法多采用高温（>800℃）处理以消除应力，但易引发滑移线（slip）或晶格畸变。因此，目前还有一部分的退火方法是通过低温退火（<500℃）来消除应力，避免滑移线产生。但低温退火会使浓度较高的间隙氧扩散形成热施主（thermal donor, td），使得p型硅晶体的电阻率变大，而n型硅晶体的电阻率变小，施主效应严重时，甚至会使p型硅晶体转化为n型，从而在热处理工艺中无法兼顾应力释放与电阻率稳定性。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种单晶硅材料的退火方法，以解决现有在热处理工艺中无法兼顾应力释放与电阻率稳定性的技术问题。
2、本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
3、一种单晶硅材料的退火方法，包括以下步骤：
>4、s1、从室温以本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种单晶硅材料的退火方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的单晶硅材料的退火方法，其特征在于，在步骤S1中，所述第一预设速率为0.9-1.1℃/min。
3.根据如权利要求2所述的单晶硅材料的退火方法，其特征在于，在步骤S1中，所述第一温度为350-500℃。
4.根据权利要求3所述的单晶硅材料的退火方法，其特征在于，在步骤S1中，对单晶硅材料进行第一步退火处理时，在450℃恒温保持9-11小时。
5.根据权利要求4所述的单晶硅材料的退火方法，其特征在于，在步骤S2中，所述第二预设速率为0.4-0.6℃/min。...
【技术特征摘要】
1.一种单晶硅材料的退火方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的单晶硅材料的退火方法，其特征在于，在步骤s1中，所述第一预设速率为0.9-1.1℃/min。
3.根据如权利要求2所述的单晶硅材料的退火方法，其特征在于，在步骤s1中，所述第一温度为350-500℃。
4.根据权利要求3所述的单晶硅材料的退火方法，其特征在于，在步骤s1中，对单晶硅材料进行第一步退火处理时，在450℃恒温保持9-11小时。
5.根据权利要求4所述的单晶硅材料的退火方法，其特征在于，在步骤s2中，所述第二预设速率为0.4-0.6℃/min。
6.根据权利要求1所述的单晶硅材料...
【专利技术属性】
技术研发人员：顾燕滨，丁亚国，王浩，吴悦，
申请(专利权)人：宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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