【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶领域，具体是一种区熔炉单晶棒保温装置。
技术介绍
1、区熔硅单晶由于其独特的生长方式，具有纯度高，均匀性好、缺陷少等优点，适合用于大功率半导体元器件。随着智能化产业的发展，对于硬件的要求也越来越高，其中对大直径区熔硅单晶的需求日益增长；目前对区熔硅单晶的生长采用悬浮区域熔炼法，即采用高频主加热线圈加热多晶棒使其熔化，在线圈下方用籽晶接住熔融硅连续生长出单晶棒。由于采用悬浮区域熔炼，热场集中在多晶棒熔区周边，多晶棒熔区下方温度分布不均匀。
2、对于大直径的单晶硅生长来讲，晶硅棒表面快速冷却，而单晶硅棒中心和表面径向温度梯度扩大而导致硅单晶开裂，在开裂的基础上继续增大，熔区面积和热应力呈几何数级增大，当单晶棒热应力大于其临界剪压力时，单晶棒中将产生错位，导致单晶棒断棱甚至炸裂，影响生产效率，并对设备造成损害。
3、现有技术中，为改善熔区下方热场分布，提高单晶棒品质，多采用热量反射的方式对硅单晶表面进行保温，该方式对熔区下方的单晶棒起到一定的保温作用，但这个装置只能被动地反射从熔区辐射过来的热量，因此...
【技术保护点】
1.一种区熔炉单晶棒保温装置，包括设置在炉体内的高频主加热线圈，所述高频主加热线圈用于加热熔化多晶棒料，其特征在于：所述高频主加热线圈下方设有保温单元，所述保温单元包括保温筒，保温筒上设置多层加热组件；
2.根据权利要求1所述的一种区熔炉单晶棒保温装置，其特征在于：所述保温单元还包括多个转动连接在保温筒外侧壁上的转盘，每个转盘上设有多个垂直于其表面设置的拨片；每个所述石墨加热板的背面设有滑杆，每个滑杆的端部贯穿至保温筒外侧壁设置，且每个滑杆的端部下表面开设滑口，拨片上边缘滑动连接在滑口内；
3.根据权利要求2所述的一种区熔炉单晶棒保温装置，其特...
【技术特征摘要】
1.一种区熔炉单晶棒保温装置，包括设置在炉体内的高频主加热线圈，所述高频主加热线圈用于加热熔化多晶棒料，其特征在于：所述高频主加热线圈下方设有保温单元，所述保温单元包括保温筒，保温筒上设置多层加热组件；
2.根据权利要求1所述的一种区熔炉单晶棒保温装置，其特征在于：所述保温单元还包括多个转动连接在保温筒外侧壁上的转盘，每个转盘上设有多个垂直于其表面设置的拨片；每个所述石墨加热板的背面设有滑杆，每个滑杆的端部贯穿至保温筒外侧壁设置，且每个滑杆的端部下表面开设滑口，拨片上边缘滑动连接在滑口内；
3.根据权利要求2所述的一种区熔炉单晶棒保温装置，其特征在于：所述保温筒一侧设有驱动转盘转动的驱动组件，且驱动组件包括两个竖直设置的丝杆，丝杆上连接有升降板，升降板上设有驱动电机，驱动电机的输出端固接有齿轮，齿轮与转盘外圈上的齿条啮合，且齿条沿转盘外圈弧面设置。
4.根据权利要求3所述的一种区熔炉单晶棒保温装置，其特征在于：所述保温筒内侧壁上还设有多层辅助加热块，且每层内的每个辅助加热块设置在相邻两个滑杆之间，每个辅助加热块表面两侧设有受电板；每个所述石墨加热板的背面两侧均设置导电板，石墨加热板向保温筒内侧壁方向移动，导电板与受电板电性连接，辅助加热...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡动力，陈湘伟，王人松，岳增可，
申请(专利权)人：连科半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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