一种刻蚀用多晶硅的制备方法技术

本发明专利技术公开了刻蚀用多晶硅领域内的一种刻蚀用多晶硅的制备方法。该方法包括以下步骤：S1：先喷涂低浓度氮化硅浆料，再刷涂高浓度氮化硅浆料，从而制备坩埚的复合氮化硅涂层；S2：将多晶硅硅料放入坩埚中，将坩埚置于铸造炉中；S3：关闭铸造炉，在铸造炉内生长多晶硅，在抽空阶段进气流量50L/min，在加热、融化阶段进气流量100L/min，炉压50mbar，在长晶阶段进气流量60L/min，炉压50mbar，在退火阶段进气流量30L/min，炉压50mbar。该制备方法制备的多晶硅，其氧、碳、氮杂质含量大幅降低，氧、碳含量均低于1ppma，氮含量低于0.5ppma，能显著提升刻蚀速率稳定性和表面精度，提升了刻蚀工艺稳定性和器件质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及刻蚀用多晶硅制备，特别涉及一种刻蚀用多晶硅的制备方法。

技术介绍

1、多晶硅作为刻蚀工艺中的关键材料（如刻蚀靶材、刻蚀掩膜等），其杂质含量直接影响刻蚀精度、速率稳定性及器件寿命。刻蚀用多晶硅中常见的有害杂质元素包括氧、碳、氮等。

2、氧在多晶硅中易形成氧沉淀或热施主，会导致刻蚀过程中材料表面出现微凸起或硬度不均，造成刻蚀速率波动，影响图形转移精度，尤其在高精度刻蚀场景（如半导体芯片制程）中，可能导致线宽偏差超标的问题。碳在多晶硅中易形成碳化物沉淀，一方面会在刻蚀时产生“刻蚀残留”，导致图案边缘出现毛刺或缺陷；另一方面，碳杂质会降低多晶硅的化学稳定性，在刻蚀剂（如氟基气体）作用下易发生异常反应，缩短刻蚀工具的使用寿命。氮杂质则可能与硅形成氮化硅相，其刻蚀速率与纯硅差异显著，导致刻蚀表面出现“选择性刻蚀不均”，破坏器件结构完整性。

3、因此，制备一种低杂质含量的刻蚀用多晶硅，对提升刻蚀工艺稳定性和器件质量具有重要意义。

技术实现思路

1、本申请通过提供一种刻蚀用多晶硅的制备方本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种刻蚀用多晶硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，所述第一氮化硅浆料质量配比为：氮化硅：硅溶胶：纯水=1:0.5:1.5；所述第二氮化硅浆料质量配比为：氮化硅：硅溶胶：纯水=1:0.5:0.5。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述步骤S1.1中喷涂方式为：采用喷枪喷涂所述第一氮化硅浆料：设定雾化压力0.2-0.25kg、开枪压力至少为0.1kg、流量至少400g/min、喷枪距离30±2mm，对坩埚内底和四个侧面喷涂3-4遍，直至浆料用完。

4.根据权利要求3所述的...

【技术特征摘要】

1.一种刻蚀用多晶硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤s1中，所述第一氮化硅浆料质量配比为：氮化硅：硅溶胶：纯水=1:0.5:1.5；所述第二氮化硅浆料质量配比为：氮化硅：硅溶胶：纯水=1:0.5:0.5。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述步骤s1.1中喷涂方式为：采用喷枪喷涂所述第一氮化硅浆料：设定雾化压力0.2-0.25kg、开枪压力至少为0.1kg、流量至少400g/min、喷枪距离30±2mm，对坩埚内底和四个侧面喷涂3-4遍，直至浆料用完。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述步骤s1.2中刷涂方式为：采用滚刷对坩埚内底和四个侧面刷涂所述第二氮化硅浆料3遍。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述铸造炉的出气系统依次...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨振帮，宦爱飞，邹健，张振中，王媛媛，
申请(专利权)人：扬州晶格半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：