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本发明公开了刻蚀用多晶硅领域内的一种刻蚀用多晶硅的制备方法。该方法包括以下步骤：S1：先喷涂低浓度氮化硅浆料，再刷涂高浓度氮化硅浆料，从而制备坩埚的复合氮化硅涂层；S2：将多晶硅硅料放入坩埚中，将坩埚置于铸造炉中；S3：关闭铸造炉，在铸造炉...
该专利属于扬州晶格半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州晶格半导体有限公司授权不得商用。

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