一种Ga源自动化补充装置及控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种Ga源自动化补充装置及控制方法，其中Ga源自动化补充装置中的第一导线的第一端与控制器电连接，第一导线的第二端始终浸没在高温熔体中；进液管的第一端与加液装置连通，进液管的第二端浸没在高温熔体内，并且，当高温熔体的液面下降时，进液管的第二端与高温熔体相分离；第二导线的第一端与进液管电连接或进入于进液管内与其内部的Ga液电连接，第二导线的第二端与控制器电连接；第一导线、第二导线、高温熔体、进液管或Ga液以及控制器构成闭合电路，控制器通过闭合电路的电流控制驱动件，驱动件与加液装置连接。上述设计中，利用闭合电路的原理解决GaN晶体生长过程中液相液面下降的问题，确保了GaN晶体质量稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及gan单晶，尤其涉及一种ga源自动化补充装置及控制方法。

技术介绍

1、助溶剂法中生长gan单晶的工艺中，液相成分为镓（ga）与钠（na）金属，气相为高压氮气，反应过程中解离的n离子会与液相中的ga反应生长为晶体gan。因此，随着反应的进行，液相中ga会逐渐减少，一般实验中ga含量会减少至零。但是如此的话，gan晶体生长的液相组成一直是在变化的。液相的组分发生变化，gan晶体的生长环境发生变化，所以gan晶体的生长速率、成核、质量都会发生变化，从而造成gan晶体的质量不稳定的技术问题。

2、因此，寻找一种能够解决上述技术问题的技术方案成为本领域技术人员所研究的重要课题。

技术实现思路

1、本专利技术实施例公开了一种ga源自动化补充装置及控制方法，用于解决现有利用助溶剂法生长gan单晶的工艺中，gan单晶的生长环境随着ga的消耗产生变化，从而造成gan晶体质量不稳定的技术问题。

2、本专利技术实施例提供了一种ga源自动化补充装置，包括控制器、第一导线、第二导线、进液管、加液本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Ga源自动化补充装置，其特征在于，包括控制器（5）、第一导线（51）、第二导线（52）、进液管（33）、加液装置、驱动件（4）以及装有高温熔体（13）的反应釜（1）；

2.根据权利要求1所述的Ga源自动化补充装置，其特征在于，所述加液装置包括注射器（3）；

3.根据权利要求2所述的Ga源自动化补充装置，其特征在于，所述加液装置还包括开关阀（32）；

4.根据权利要求1所述的Ga源自动化补充装置，其特征在于，所述反应釜（1）的顶部开设有进气口（11）。

5.根据权利要求1所述的Ga源自动化补充装置，其特征在于，所述进液管（33）为导电...

【技术特征摘要】

1.一种ga源自动化补充装置，其特征在于，包括控制器（5）、第一导线（51）、第二导线（52）、进液管（33）、加液装置、驱动件（4）以及装有高温熔体（13）的反应釜（1）；

2.根据权利要求1所述的ga源自动化补充装置，其特征在于，所述加液装置包括注射器（3）；

3.根据权利要求2所述的ga源自动化补充装置，其特征在于，所述加液装置还包括开关阀（32）；

4.根据权利要求1所述的ga源自动化补充装置，其特征在于，所述反应釜（1）的顶部开设有进气口（11）。

【专利技术属性】
技术研发人员：张敏，姜永京，刘强，刘南柳，陈垦宇，肖继宗，谢胜杰，王琦，
申请(专利权)人：北京大学东莞光电研究院，
类型：发明
国别省市：

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