半导体存储装置制造方法及图纸

实施方式的半导体存储装置具备：多个导电体层，在Z方向上彼此分开设置，包含第1导电体层(SGD)；多个存储器柱(MP)，贯通多个导电体层，沿Z方向延伸；以及部件(SLT)，包含沿X方向延伸的第1部分(DT)、及在X方向上彼此分开设置于多个导电体层的上层侧的多个第2部分(RT)，沿Y方向分割多个导电体层；且第2部分(RT)的下表面位于比第1导电体层(SGD)的上表面更靠下层，关于部件(SLT)在Y方向上的宽度，多个第2部分(RT)各自的上表面比多个第2部分(RT)各自的下表面及第1部分(DT)宽。

【技术实现步骤摘要】

本文所述的实施例通常涉及一种半导体存储装置。

技术介绍

1、作为能够非易失性地存储数据的半导体存储装置，已知nand(not and，与非)型闪速存储器。为了实现高集成化及大容量化，nand型闪速存储器采用三维存储器结构。

技术实现思路

1、通常，根据一实施例，半导体存储装置具备：多个导电体层，在垂直于衬底面的第1方向上彼此分开设置，在最上层包含第1导电体层；多个存储器柱，贯通所述多个导电体层，沿所述第1方向延伸；以及部件，包含沿所述衬底面内的第2方向在所述多个导电体层内延伸的第1部分、及在所述第2方向上彼此分开设置于所述多个导电体层的所述最上层侧的多个第2部分，沿与所述衬底面内的所述第2方向正交的第3方向分割所述多个导电体层；且所述多个第2部分各自的下表面位于比所述第1导电体层的上表面更靠下层，关于所述部件的所述第3方向上的宽度，所述多个第2部分各自的上表面比所述多个第2部分各自的所述下表面及所述第1部分宽。

【技术保护点】

1.一种半导体存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中

5.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中

8.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

11.一种半导体存储装置，...

【技术特征摘要】

1.一种半导体存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中

5.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中

8.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

11....

【专利技术属性】
技术研发人员：伊达浩平，青山贤士，须田圭介，田中南，永嶋贤史，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：